[发明专利]半导体装置用薄膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置用薄膜的制造方法。

背景技术

以往，半导体晶片在预先以大面积制作后，切割(切断分离)为芯片状并移送到扩张工序。切割薄膜在该切割时用于固定半导体晶片。

固定到切割薄膜上的半导体晶片，在切割为芯片状并为了将各芯片之间分离而在扩张环上沿面方向同样地扩张后，进行拾取。

另外，以往提出了在切割工序中胶粘保持半导体晶片并且也提供安装工序所需的芯片固着用的芯片接合薄膜的切割薄膜(例如，参考专利文献1)。

上述的带有芯片接合薄膜的切割薄膜，例如，可以通过(1)制作芯片接合薄膜，并按照将要粘贴的半导体晶片的形状进行冲裁，(2)在切割薄膜上以规定的间隔层叠冲裁后的芯片接合薄膜，(3)再以芯片接合薄膜侧为粘贴面粘贴保护薄膜，(4)以芯片接合薄膜为中心对切割薄膜进行冲裁，并将保护薄膜剥离来得到。另外，例如，可以通过(1)制作芯片接合薄膜，并按照将要粘贴的半导体晶片的形状进行冲裁，(2)在切割薄膜上以规定的间隔层叠冲裁后的芯片接合薄膜，(3)以芯片接合薄膜为中心对切割薄膜进行冲裁来得到。作为以芯片接合薄膜为中心对切割薄膜进行冲裁的原因，是因为：通常切割环粘贴在切割薄膜的周缘部使用，当切割环接触到芯片接合薄膜时，切割环会受到污染。另外是因为：芯片接合薄膜不处于切割环薄膜的中心时，在晶片安装工序中，晶片与芯片接合薄膜会在位置偏移的状态下粘贴在一起。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭60-57642号公报

发明内容

但是，现有制造方法中，有时难以以芯片接合薄膜为中心对切割薄膜准确地进行冲裁，因此存在引起带有芯片接合薄膜的切割薄膜的制造成品率下降的问题。

本发明鉴于所述问题而创立，其目的在于提供芯片接合薄膜处于切割薄膜的中心的半导体装置用薄膜的制造方法以及该半导体装置用薄膜。

本申请发明人为了解决所述现有问题，对半导体装置用薄膜的制造方法以及半导体装置用薄膜进行了研究。结果发现，通过采用下述的构成，可以提供芯片接合薄膜处于切割薄膜的中心的半导体装置用薄膜的制造方法、以及该半导体装置用薄膜，从而完成了本发明。

即，本发明的半导体装置用薄膜制造方法，为通过切割薄膜、芯片接合薄膜和保护薄膜以该顺序层叠而得到的半导体装置用薄膜的制造方法，其特征在于，所述半导体装置用薄膜的制造方法包括：制作切割薄膜的工序，制作芯片接合薄膜的工序，按照将要粘贴的半导体晶片的形状对所述芯片接合薄膜进行冲裁的工序，在所述切割薄膜上以规定的间隔粘贴多个所述芯片接合薄膜，并且将芯片接合薄膜侧作为粘贴面而粘贴保护薄膜的工序，照射波长400～800nm的光线，基于所得到的光线透射率检测芯片接合薄膜的位置的工序，和基于检测到的芯片接合薄膜的位置，对所述切割薄膜进行冲裁的工序；设所述切割薄膜和所述保护薄膜的层叠部分对波长400～800nm的光线透射率为T1、设所述切割薄膜与所述芯片接合薄膜和所述保护薄膜的层叠部分对波长400～800nm的光线透射率为T2时，下式(A)表示的T为4以上，

T＝100-((T2/T1)×100)    (A)。

根据所述构成，通过制作切割薄膜的工序、制作芯片接合薄膜的工序、将所述芯片接合薄膜按照将要粘贴的半导体晶片的形状进行冲裁的工序、在所述切割薄膜上以规定的间隔粘贴多个所述芯片接合薄膜以及以芯片接合薄膜侧为粘贴面粘贴保护薄膜的工序，成为在一个连续的切割薄膜与一个连续的保护薄膜之间，以规定的间隔粘贴有多个芯片接合薄膜的状态。

然后，照射波长400～800nm的光线，并基于所得到的光线透射率检测芯片接合薄膜的位置。具体而言，光线透射率以一定水平以上变化时，例如，光线透射率从光线透射率T1变化为光线透射率T2从而所述式(A)表示的T为4以上时，该部位作为芯片接合薄膜的一端被检测到。而且，基于所检测到的芯片接合薄膜的位置，对切割薄膜进行冲裁。该切割薄膜的冲裁工序，基于芯片接合薄膜的位置进行，因此可以使芯片接合薄膜位于被冲裁的各切割薄膜的中心。

可见，根据所述构成，可以制造芯片接合薄膜处于切割薄膜中心的半导体装置用薄膜。

所述构成中，优选所述光线透射率T1为2％～80％。

所述构成中，优选所述光线透射率T2为0.1％～70％。

附图说明

图1(a)是表示本发明的一个实施方式的半导体装置用薄膜的示意剖视图，(b)为其俯视图。