[发明专利]半导体装置用薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置用薄膜的制造方法，所述半导体装置用薄膜通过切割薄膜、芯片接合薄膜和保护薄膜以该顺序层叠而得到，其特征在于，

设所述切割薄膜和所述保护薄膜的层叠部分对波长400～800nm的光线透射率为T1、设所述切割薄膜与所述芯片接合薄膜和所述保护薄膜的层叠部分对波长400～800nm的光线透射率为T2时，下式(A)表示的T为4以上，

T＝100-((T2/T1)×100)    (A)

所述半导体装置用薄膜的制造方法包括：

制作切割薄膜的工序，

制作芯片接合薄膜的工序，

按照将要粘贴的半导体晶片的形状对所述芯片接合薄膜进行冲裁的工序，

在所述切割薄膜上以规定的间隔粘贴多个所述芯片接合薄膜，并且将芯片接合薄膜侧作为粘贴面而粘贴保护薄膜的工序，

照射波长400～800nm的光线，基于所得到的光线透射率检测芯片接合薄膜的位置的工序，和

基于检测到的芯片接合薄膜的位置，对所述切割薄膜进行冲裁的工序。

2.如权利要求1所述的半导体装置用薄膜的制造方法，其特征在于，

所述光线透射率T1为2％～80％。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置用薄膜的制造方法，其特征在于，

所述光线透射率T2为0.1％～70％。