[发明专利]光半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210057179.5 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102683513A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 斋藤龙舞 | 申请（专利权）人： | 斯坦雷电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 光半导体元件及其制造方法，可在保持成品率的同时提高光提取效率。该制造方法包括：在半导体膜的表面中形成多个凹部，该多个凹部沿着该半导体膜的晶轴等间隔地设置；对所述半导体膜的表面进行蚀刻，从而在所述半导体膜的表面中形成多个突起，该多个突起按照所述多个凹部的排列方式排列且源自于所述半导体膜的晶体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包括半导体膜的光半导体元件的制造方法，该半导体膜具有六方晶系的晶体结构，所述制造方法包括：在所述半导体膜的表面中形成多个凹部的步骤，该多个凹部沿所述半导体膜的晶轴等间隔地排列；以及对所述半导体膜的表面进行蚀刻处理，从而在所述半导体膜的表面中形成多个突起的步骤，该多个突起按照所述多个凹部的排列方式排列且源自于所述半导体膜的晶体结构。
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