[发明专利]光半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种包括半导体膜的光半导体元件的制造方法，该半导体膜具有六方晶系的晶体结构，所述制造方法包括：

在所述半导体膜的表面中形成多个凹部的步骤，该多个凹部沿所述半导体膜的晶轴等间隔地排列；以及

对所述半导体膜的表面进行蚀刻处理，从而在所述半导体膜的表面中形成多个突起的步骤，该多个突起按照所述多个凹部的排列方式排列且源自于所述半导体膜的晶体结构。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，与任一凹部相邻的其它凹部分别位于正六边形的顶点处，所述多个凹部被配置成：所述正六边形的两个相对的边平行于所述半导体膜的晶轴的[1-100]方向或[11-20]方向。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述多个突起各具有六面锥形状，且形成为构成最密堆积结构。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述半导体膜的所述表面是C面，且在所述多个凹部各自的内壁露出多个晶面。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述多个凹部中的相邻凹部之间的距离大于从所述半导体膜发出的光的波长。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述蚀刻处理是利用了碱溶液的湿蚀刻。

7.根据权利要求1所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：

在生长衬底上对所述半导体膜进行晶体生长；

在所述半导体膜上形成支承衬底；以及

去除所述生长衬底，

其中所述多个凹部是隔着掩模对所述半导体膜的由于去除所述生长衬底而露出的露出面进行蚀刻而形成的。

8.根据权利要求1所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：

在生长衬底上对所述半导体膜进行晶体生长；

在所述半导体膜上形成支承衬底；以及

去除所述生长衬底，

其中所述生长衬底在其晶体生长面上具有多个突起，该多个突起分别对应于所述多个凹部，且所述多个凹部是通过在所述生长衬底的所述晶体生长面上对所述半导体膜进行晶体生长而形成的。

9.一种包括半导体膜的光半导体元件，该半导体膜具有六方晶系的晶体结构，其中，所述半导体膜在其表面中具有源自于所述半导体膜的的晶体结构的多个六面锥状的突起，且所述多个突起被形成为构成沿着所述半导体膜的晶轴的最密堆积结构。

10.根据权利要求9所述的光半导体元件，其中，所述半导体膜由GaN基半导体形成。

11.根据权利要求9所述的光半导体元件，其中，所述多个六面锥状的突起均大于从所述半导体膜发出的光的波长。