[发明专利]FinFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210055762.2 | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103066123A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 陈祈铭;喻中一;黃和涌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括衬底，和设置在衬底上方的第一介电层。半导体器件还包括缓冲层，设置在衬底的上方以及介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间。半导体器件还包括绝缘体层，设置在缓冲层的上方以及介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间。半导体器件还包括设置在第一介电层和绝缘体层上方的第二介电层。此外，半导体器件包括鳍结构，设置在绝缘体层上方以及第二介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间。本发明还公开了FinFET器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；第一介电层，设置在所述衬底的上方；缓冲层，设置在所述衬底的上方并在介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间；绝缘体层，设置在所述缓冲层的上方，并在所述介电层的所述沟槽的所述第一壁和所述第二壁之间；第二介电层，设置在所述第一介电层和所述绝缘体层的上方；以及鳍结构，设置在所述绝缘体层的上方，并在所述第二介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间。
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