[发明专利]半导体发光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210054994.6 | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN102694099A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 衣川佳之 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体发光装置，具备层叠体，该层叠体具有第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、以及在上述第1半导体层与上述第2半导体层之间设置的发光层。并且具备：透明电极层，设置在上述第2半导体层的表面，使从上述发光层放射的发光透过；第1电极，与上述透明电极层电连接；以及第2电极，与上述第1半导体层电连接。并且，具有沿着上述透明电极层的边缘的区域，该区域设置成上述透明电极层的厚度在上述边缘侧比在中央侧薄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，具备：层叠体，具有第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、以及在上述第1半导体层与上述第2半导体层之间设置的发光层；透明电极层，设置在上述第2半导体层的表面，使从上述发光层放射的发光透过；第1电极，与上述透明电极层电连接；以及第2电极，与上述第1半导体层电连接；该半导体发光装置具有沿着上述透明电极层的边缘的区域，该区域设置成上述透明电极层的厚度在上述边缘侧比在中央侧薄。
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