[发明专利]半导体发光装置及其制造方法

说明书

交叉申请

本申请基于日本专利申请2011-64908号(申请日：2011年3月23日)享受其优先权。本申请通过参照该基础申请，而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体发光装置及其制造方法。

背景技术

半导体发光装置不仅有显示用途，还被期待作为代替电灯泡或荧光灯等的球管光源的低耗电的光源。并且，例如为了置换球管光源等的目的，希望半导体发光装置的高输出化。

例如，对发光二极管(Light Emitting Diode：LED)而言，通过向其发光层整体均匀地注入电流，能够提高发光效率。进而，通过提高来自半导体结晶的光的取出效率，能够进行高输出化。因此，提出了对向发光层注入的电流进行均匀化的电极图案、或对发光面整体形成透明电极的技术等。但是，仅通过这些技术并不能满足高输出化的要求，需要以低成本实现进一步的高输出化的半导体发光装置及其制造方法。

发明内容

本发明的实施方式提供能够以低成本实现高输出化的半导体发光装置及其制造方法。

实施方式的半导体发光装置具备层叠体，该层叠体具有第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、以及在上述第1半导体层与上述第2半导体层之间设置的发光层。还具备：透明电极层，设置在上述第2半导体层的表面，使从上述发光层放射的光透过；第1电极，与上述透明电极层电连接；以及第2电极，与上述第1半导体层电连接。并且，具有沿着上述透明电极层的边缘的区域，该区域设置成上述透明电极层的厚度在上述边缘侧比中央侧薄。

根据本发明的实施方式，能够提供能以低成本实现高输出化的半导体发光装置及其制造方法。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体发光装置的构造的示意图。

图2是表示第1实施方式的半导体发光装置的制造过程的示意截面图。

图3是表示后续于图2的制造过程的示意截面图。

图4是表示后续于图3的制造过程的示意截面图。

图5是例示出第1实施方式的半导体发光装置的光取出的示意图。

图6是例示出第1实施方式的半导体发光装置的电流注入的示意图。

图7是表示第1实施方式的半导体发光装置的电流注入的其他例的示意图。

图8是例示第1实施方式的半导体发光装置的光输出的曲线图。

图9是表示第1实施方式的半导体发光装置的光输出的其他例的曲线图。

图10是表示第1实施方式的变形例的半导体发光装置的制造过程的示意截面图。

图11是表示第2实施方式的半导体发光装置的制造过程的示意截面图。

图12是表示第3实施方式的半导体发光装置的制造过程的示意截面图。

图13是表示第4实施方式的半导体发光装置的制造过程的示意截面图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。另外，在以下的实施方式中，对附图中的同一部分附加同一号码并适当省略其详细说明，而说明不同的部分。进而，虽然将第1导电型设为n型、将第2导电型设为p型来说明，但也可以将第1导电型设为p型，将第2导电型设为n型。

(第1实施方式)

图1是表示第1实施方式的半导体发光装置100的构造的示意图。图1(a)是表示发光面的俯视图，图1(b)表示图1(a)中的A-A截面的构造。

半导体发光装置100例如是以GaN类氮化物半导体为材料的LED，如图1(a)所示，具有方形的外形，在其两端具备作为第1电极的p电极13、以及作为第2电极的n电极15。

并且，如图1(b)所示，例如具备设置在蓝宝石基板2上的层叠体10，该层叠体10包括作为第1半导体层的n型GaN层3、发光层5、以及作为第2半导体层的p型GaN层7。发光层5设置在n型GaN层3与p型GaN层7之间，例如包含由InGaN阱层和GaN阻挡层构成的量子阱。

在p型GaN层7的表面设有透明电极层9。透明电极层9具有低电阻的导电性，向p型GaN层7的整个面扩散电流并注入到发光层5。进而，透明电极层9中，为了将发光层5的发光取出到外部而使用对发光透明的材料。例如，能够使用作为导电性氧化膜的ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)。

在透明电极层9的表面设有p电极13。p电极13例如是将镍(Ni)以及金(Au)依次层叠而成的金属膜，其与透明电极层9电连接而设置。