[发明专利]半导体发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光装置，具备：

层叠体，具有第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、以及在上述第1半导体层与上述第2半导体层之间设置的发光层；

透明电极层，设置在上述第2半导体层的表面，使从上述发光层放射的发光透过；

第1电极，与上述透明电极层电连接；以及

第2电极，与上述第1半导体层电连接；

该半导体发光装置具有沿着上述透明电极层的边缘的区域，该区域设置成上述透明电极层的厚度在上述边缘侧比在中央侧薄。

2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，

上述透明电极层的边缘与从上述透明电极层的表面向上述第1半导体层的方向对上述透明电极层、上述第2半导体层以及上述发光层连续地进行蚀刻而形成的上述第2半导体层的侧面相接。

3.如权利要求1所述的半导体发光装置，

上述透明电极层的边缘与上述第2半导体层的边缘一致。

4.如权利要求1所述的半导体发光装置，

在沿着上述透明电极层的边缘的上述区域中，沿着上述第2半导体层的表面的方向的从中央侧到边缘的上述区域的宽度比上述层叠体的层叠方向的厚度小。

5.如权利要求1所述的半导体发光装置，

在沿着上述透明电极层的边缘的上述区域中，沿着上述第2半导体层的表面的方向的从中央侧到边缘的上述区域的宽度比上述第2半导体层的厚度小。

6.如权利要求1所述的半导体发光装置，

上述透明电极层包含导电性氧化膜。

7.如权利要求1所述的半导体发光装置，

上述透明电极层包含ITO以及ZnO中的至少一种。

8.如权利要求1所述的半导体发光装置，

沿着上述透明电极层的边缘的上述区域是从中央侧向边缘变薄的锥状。

9.如权利要求1所述的半导体发光装置，

上述第1半导体层、上述第2半导体层以及发光层分别包含GaN类氮化物半导体。

10.如权利要求1所述的半导体发光装置，

上述第1半导体层、上述第2半导体层以及发光层设置在蓝宝石基板上。

11.如权利要求1所述的半导体发光装置，

上述第1半导体层、上述第2半导体层以及发光层分别包含AlGaInP类半导体。

12.一种半导体发光装置的制造方法，包括如下工序：

在基板上依次形成第1导电型的第1半导体层、发光层以及第2导电型的第2半导体层的工序；

在上述第2半导体层的表面形成透明电极层的工序，该透明电极层使从上述发光层放出的发光透过；以及

从上述透明电极层的表面向上述第1半导体层的方向对上述透明电极层、上述第2半导体层以及上述发光层连续进行蚀刻的工序，

形成沿着上述透明电极层的边缘的区域，该区域设置成上述透明电极层的厚度在上述边缘侧比在中央侧薄。

13.如权利要求12所述的半导体发光装置的制造方法，

将在上述透明电极层、上述第2半导体层以及上述发光层的蚀刻中使用的掩膜的端部的形状复制到沿着上述透明电极层的边缘的区域。

14.如权利要求12所述的半导体发光装置的制造方法，

在上述透明电极层、上述第2半导体层以及上述发光层的蚀刻中利用反应性离子蚀刻法。

15.如权利要求14所述的半导体发光装置的制造方法，

在上述透明电极层、上述第2半导体层以及上述发光层的蚀刻中，使用从上述透明电极层向上述第1半导体层的方向的蚀刻占主导地位的条件。

16.如权利要求12所述的半导体发光装置的制造方法，

在上述透明电极层、上述第2半导体层以及上述发光层的蚀刻中使用的掩膜由氧化硅膜即SiO₂构成。

17.如权利要求12所述的半导体发光装置的制造方法，

在上述透明电极层、上述第2半导体层以及上述发光层的蚀刻中使用的掩膜是以比软化温度高的温度处理后的抗蚀剂膜。