[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201210052700.6 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102931217A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 下條亮平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式提供一种半导体装置，具备：第1导电型的第1半导体层；单元部，在第1半导体层的表面具有第2导电型的扩散区域；多个第2导电型的第2半导体层，形成在第1半导体层的表面，使得分别包围单元部；第1导电型的第3半导体层，在第1半导体层的表面与第2半导体层的外周离开地形成，浓度比第1半导体层高；第4半导体层，设置在第1半导体层的表面的第2半导体层与第3半导体层之间，浓度比第2半导体层低；以及多个第5半导体层，在多个第2半导体层的各自的内侧，浓度比第2半导体层低，杂质浓度或者导电型与第4半导体层不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的基底半导体层；单元部，具有形成在上述基底半导体层的表面的第2导电型的扩散区域；多个第2导电型的保护环半导体层，形成在上述基底半导体层的表面，使得分别包围上述单元部；第1导电型的EQPR半导体层，形成在从上述多个保护环半导体层中的最外周的保护环半导体层向外周方向离开的上述基底半导体层的外周部表面，浓度比上述第1半导体层高、且浓度比上述保护环半导体层低；第1导电型的多个第1降低表面电场半导体层，设置在上述多个保护环半导体层的内侧的上述基底半导体层的表面，浓度比上述基底半导体层高；以及第1导电型的第2降低表面电场半导体层，设置在上述基底半导体层的表面、且上述最外周的保护环半导体层以及上述EQPR半导体层之间，杂质浓度比上述第1降低表面电场半导体层高
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