[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201210052700.6 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102931217A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 下條亮平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第1导电型的基底半导体层；
单元部，具有形成在上述基底半导体层的表面的第2导电型的扩散区域；
多个第2导电型的保护环半导体层，形成在上述基底半导体层的表面，使得分别包围上述单元部；
第1导电型的EQPR半导体层，形成在从上述多个保护环半导体层中的最外周的保护环半导体层向外周方向离开的上述基底半导体层的外周部表面，浓度比上述第1半导体层高、且浓度比上述保护环半导体层低；
第1导电型的多个第1降低表面电场半导体层，设置在上述多个保护环半导体层的内侧的上述基底半导体层的表面，浓度比上述基底半导体层高；以及
第1导电型的第2降低表面电场半导体层，设置在上述基底半导体层的表面、且上述最外周的保护环半导体层以及上述EQPR半导体层之间，杂质浓度比上述第1降低表面电场半导体层高
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述单元部具备：沟道栅极，贯通上述第2导电型的扩散区域并在上述基底半导体层内延长形成；第1导电型的发射极层，形成在其两侧的上述扩散区域的表面；第1导电型的缓冲半导体层，形成在上述基底半导体层的下侧；以及第2导电型的集电极层，形成在该缓冲半导体层的下侧。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述多个第1降低表面电场半导体层的浓度朝向外周侧变高。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述第1降低表面电场半导体层或者上述第2降低表面电场半导体层具有含有导电型不同的上层和下层的层叠结构。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述第1导电型是n型，上述第2导电型是p型。
6.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第1导电型的基底半导体层；
单元部，具有形成在上述基底半导体层的表面的第2导电型的扩散区域；
多个第2导电型的保护环半导体层，形成在上述基底半导体层的表面，使得分别包围上述单元部；
第1导电型的EQPR半导体层，形成在从上述多个保护环半导体层中的最外周的保护环半导体层向外周方向离开的上述基底半导体层的外周部表面，浓度比上述第1半导体层高、且浓度比上述保护环半导体层低；
第2导电型的多个第1降低表面电场半导体层，设置在上述多个保护环半导体层的内侧的上述基底半导体层的表面，浓度比上述基底半导体层高；以及
第2导电型的第2降低表面电场半导体层，设置在上述基底半导体层的表面、且上述最外周的保护环半导体层以及上述EQPR半导体层之间，杂质浓度比上述第1降低表面电场半导体层低。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
上述单元部具备：沟道栅极，贯通上述第2导电型的扩散区域并在上述基底半导体层内延长形成；第1导电型的发射极层，形成在其两侧的上述扩散区域的表面；第1导电型的缓冲半导体层，形成在上述基底半导体层的下侧；以及第2导电型的集电极层，形成在该缓冲半导体层的下侧。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
上述多个第1降低表面电场半导体层的浓度朝向外周侧变低。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
上述第1降低表面电场半导体层或者上述第2降低表面电场半导体层具有含有导电型不同的上层和下层的层叠结构。
10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
上述第1导电型是n型，上述第2导电型是p型。
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