[发明专利]金属氧化层半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201210045076.7 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103296082A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 孙贵鹏;张森;吴孝嘉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/43 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜娟娟;王忠忠 |
| 地址： | 214028 无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化层半导体场效应晶体管，其包括第一导电性材料基板，形成在第一导电性材料基板上的第二导电性材料层，在第一导电性材料基板与第二导电性材料层的接面形成空乏区，其特征在于，所述第二导电性材料层上敷设有金属层以形成肖特基接面，所述金属层上敷设有绝缘层。本发明所述金属氧化层半导体场效应晶体管器件，与常规金属氧化层半导体场效应晶体管器件具有相同崩溃电压的情况下，可具有更低的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种金属氧化层半导体场效应晶体管，其包括第一导电性材料基板，形成在第一导电性材料基板上的第二导电性材料层，在第一导电性材料基板与第二导电性材料层的接面形成空乏区，其特征在于，所述第二导电性材料层上敷设有金属层以形成肖特基接面，所述金属层上敷设有绝缘层。
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