[发明专利]金属氧化层半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201210045076.7 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103296082A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 孙贵鹏;张森;吴孝嘉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/43 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜娟娟;王忠忠 |
| 地址： | 214028 无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化 半导体 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属氧化层半导体场效应晶体管，其包括第一导电性材料基板，形成在第一导电性材料基板上的第二导电性材料层，在第一导电性材料基板与第二导电性材料层的接面形成空乏区，其特征在于，所述第二导电性材料层上敷设有金属层以形成肖特基接面，所述金属层上敷设有绝缘层。
2.如权利要求1所述的金属氧化层半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第二导电性材料层上敷设有金属层以形成一组肖特基接面，在该组肖特基接面中，相邻肖特基接面由场氧隔开。
3.如权利要求1或2所述的金属氧化层半导体场效应晶体管，其特征在于，所述金属层由以下材料中的任一种形成：钴，钛，铝，金，钼，钴化硅，钛化硅，及钯化硅。
4.根据权利要求1或2所述的金属氧化层半导体场效应晶体管，其特征在于，所述肖特基接面保持浮接状态。
5.如权利要求1或2所述的金属氧化层半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一电性材料为P型半导体材料，所述第二导电材料为N型半导体材料。
6.如权利要求1或2所述的金属氧化层半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一电性材料为N型半导体材料，所述第二导电材料为P型半导体材料。
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