[发明专利]GaN 单晶生长方法、GaN 基板制备方法、GaN 系元件制备方法以及GaN 系元件有效
| 申请号： | 201210044351.3 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102634849A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 八百隆文;曺明焕 | 申请（专利权）人： | 东北技术使者株式会社;古河机械金属株式会社;三菱化学株式会社;同和控股(集团)有限公司;株式会社EpiValley;伟方亮有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜(厚膜)。(a)在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。(b)对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮化物层212。(c)在氮化处理过的金属缓冲层210、212上，生长GaN缓冲层222。(d)最后生长GaN单晶层220。该GaN单晶层220可以根据需要生长为各种厚度。通过上述工序制备的基板，通过选择性化学蚀刻可制备自支撑基板，还可以作为用于制备GaN系发光二极管、激光二极管的GaN模板基板来使用。 | ||
| 搜索关键词： | gan 生长 方法 制备 元件 以及 | ||
【主权项】：
一种GaN单晶生长方法，其特征在于，该方法具有：铬层生长过程，在底层基板上生长铬层；氮化过程，将所述铬层的至少表面氮化，生长铬氮化物层；GaN缓冲层生长过程，在所述铬氮化物层上生长GaN缓冲层；GaN层生长过程，在所述GaN缓冲层上生长单晶GaN层；所述铬氮化物层为(111)取向。
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