[发明专利]具有MOM电容器的集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201210041603.7 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103094275A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘继文;王昭雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路，可以包括与诸如finFET的其他器件同时形成的MOM电容器。形成在基板上的介电层中具有第一半导体鳍片和第二半导体鳍片。去除鳍片的相应顶部以在介电层中形成相应的凹槽。第一电极和第二电极以及中间的介电层形成MOM电容器。本发明提供具有MOM电容器的集成电路及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 mom 电容器 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：电容器，所述电容器包括：衬底；电容器介电层，位于所述衬底的主表面上，所述电容器介电层中具有第一凹槽和第二凹槽；第一半导体鳍片，延伸自所述衬底的主表面，位于所述第一凹槽内；第一电容器电极，位于所述第一凹槽内和所述第一半导体鳍片的顶上；第二半导体鳍片，延伸自所述衬底的所述主表面并位于所述第二凹槽内；以及第二电容器电极，位于所述第二凹槽内和所述第二半导体鳍片的顶上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
