[发明专利]具有MOM电容器的集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

电容器，所述电容器包括：

衬底；

电容器介电层，位于所述衬底的主表面上，所述电容器介电层中具有第一凹槽和第二凹槽；

第一半导体鳍片，延伸自所述衬底的主表面，位于所述第一凹槽内；

第一电容器电极，位于所述第一凹槽内和所述第一半导体鳍片的顶上；

第二半导体鳍片，延伸自所述衬底的所述主表面并位于所述第二凹槽内；以及

第二电容器电极，位于所述第二凹槽内和所述第二半导体鳍片的顶上。

2.根据权利要求1所述的集成电路还包括：

第三凹槽，位于所述电容器介电层中；

第三半导体鳍片，延伸自所述衬底的所述主表面并位于所述第三凹槽内；

第三电容器电极，位于所述第三凹槽内和第三半导体鳍片的顶上；

其中所述第一电容器电极和所述第三电容器电极互相电连接。

3.根据权利要求1所述的集成电路还包括：

衬垫介电材料，加衬在所述第一凹槽或所述第二凹槽至少之一的侧壁和底部上。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述衬底包括绝缘体上硅衬底。

5.一种形成集成电路的方法，包括：

在衬底上形成其中具有第一半导体鳍片和第二半导体鳍片的介电层；

去除所述第一半导体鳍片的顶部以形成位于所述介电层中的第一凹槽，去除所述第二半导体鳍片的顶部以形成位于所述介电层中的第二凹槽；以及

在所述第一凹槽中在所述第一半导体鳍片上形成第一电极，在所述第二凹槽中在所述第二半导体鳍片上形成第二电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在衬底上形成其中具有第一半导体鳍片和第二半导体鳍片的介电层的步骤包括：

在所述衬底上形成半导体层；

图案化所述半导体层以形成所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片；

在所述衬底和所述第一半导体鳍片以及第二半导体鳍片上均厚沉积所述介电层；以及

平坦化所述介电层以与所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片的相应顶表面齐平。

7.根据权利要求5所述的方法，其中在衬底上形成其中具有第一半导体鳍片和第二半导体鳍片的介电层的步骤包括：

在所述衬底上形成介电层；

图案化所述介电层以在其中形成第一孔和第二孔；以及

在所述第一孔中外延生长所述第一半导体鳍片和在所述第二孔中外延生长所述第二半导体鳍片。

8.一种形成集成电路的方法，包括：

形成MOM电容器，所述MOM电容器具有形成在第一半导体鳍片顶部的第一电极，形成在第二半导体鳍片顶端的第二电极，以及位于所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片中间的电容器电介质；以及

形成finFET器件，所述finFET器件具有形成在第三半导体鳍片中的源极和漏极区域，其中所述第三半导体鳍片与所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片同时形成。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

对电容器电介质执行化学机械抛光(CMP)步骤。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：回蚀刻所述第一半导体鳍片的顶面和所述第二半导体鳍片的顶面以在电容器电介质上形成相应的第一凹槽和第二凹槽。