[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210034861.2 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN102646665A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 玄灿顺 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L27/115;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括：第一层间电介质层，所述第一层间电介质层形成在半导体衬底之上；接触孔，所述接触孔形成为贯穿所述第一层间电介质层；接触插塞，所述接触插塞分别形成在所述接触孔内；以及间隔件，所述间隔件形成为部分地覆盖所述接触孔内的所述接触插塞的上部侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一层间电介质层，所述第一层间电介质层形成在半导体衬底之上；接触孔，所述接触孔形成为贯穿所述第一层间电介质层；接触插塞，所述接触插塞分别形成在所述接触孔内，以及间隔件，所述间隔件形成为部分地覆盖所述接触孔内的所述接触插塞的上部侧壁。
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