[发明专利]封闭型沟槽式功率半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210029774.8 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN103247670A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 张渊舜;涂高维;蔡依芸 | 申请（专利权）人： | 帅群微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 项荣;姚垚 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种封闭型沟槽式功率半导体元件及其制造方法，该封闭型沟槽式功率半导体元件包括一基材、多个单位晶胞；其中，多个单位晶胞，数组排列于基材内；且各单位晶胞包括一本体区与一沟槽式栅极；上述沟槽式栅极，环绕本体区的周围，且沟槽式栅极的至少一侧壁，在朝向本体区一侧具有一凹陷。本发明提出的封闭型沟槽式功率半导体元件可以维持线宽缩减后对于单位面积的通道宽度的改善，同时避免线宽缩减后对于临界电压值可能造成的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 封闭 沟槽 功率 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种封闭型沟槽式功率半导体元件，其特征在于，该封闭型沟槽式功率半导体元件包括：基材；多个单位晶胞，数组排列于该基材内，各该单位晶胞包括：本体区；沟槽式栅极，环绕该本体区的周围；其中，该沟槽式栅极的至少一侧壁在朝向该本体区之侧具有凹陷。
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