[发明专利]封闭型沟槽式功率半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种封闭型沟槽式功率半导体元件，其特征在于，该封闭型沟槽式功率半导体元件包括：

基材；

多个单位晶胞，数组排列于该基材内，各该单位晶胞包括：

本体区；

沟槽式栅极，环绕该本体区的周围；

其中，该沟槽式栅极的至少一侧壁在朝向该本体区之侧具有凹陷。

2.如权利要求1所述的封闭型沟槽式功率半导体元件，其特征在于，该凹陷的宽度小于该沟槽式栅极任两相对侧的距离。

3.如权利要求1所述的封闭型沟槽式功率半导体元件，其特征在于，该单位晶胞呈方形外观。

4.如权利要求3所述的封闭型沟槽式功率半导体元件，其特征在于，该沟槽式栅极在对应于该单位晶胞的短边的该侧壁具有该凹陷。

5.如权利要求1所述的封闭型沟槽式功率半导体元件，其特征在于，凹陷的外观呈方形或三角形。

6.一种封闭型沟槽式功率半导体元件的制造方法，包括：

提供基板；

形成沟槽式栅极于该基板上，该沟槽式栅极呈网状并于该基板上划分出多个数组排列的单位晶胞，并于各该单位晶胞的中央分别定义出本体区，该单位晶胞内的该沟槽式栅极的至少一侧壁在朝向该相对应的本体区之侧具有凹陷；

沿着该沟槽式栅极，形成源极掺杂区于该本体区内；

形成第一介电图案覆盖该沟槽式栅极及其周围一定距离，以定义源极接触窗于该本体区上方；

形成第二介电图案覆盖该源极接触窗，该第二介电图案覆盖该凹陷，并具有一开口以裸露该本体区；

通过该开口形成重掺杂区于该本体区内；

移除该第二介电图案；以及

形成一导体层于该源极接触窗内。

7.如权利要求6所述的封闭型沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，该凹陷的宽度小于该沟槽式栅极任两相对侧的距离。

8.如权利要求6所述的封闭型沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，该单位晶胞呈方形外观，且该沟槽式栅极在对应于该单位晶胞的短边的该侧壁具有该凹陷。

9.如权利要求6所述的封闭型沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，该凹陷的外观呈方形或三角形。

10.如权利要求6至9任一项所述的封闭型沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，形成该第二介电图案的步骤包括：

全面沉积介电层覆盖该源极接触窗与该第一介电图案，该介电层于该凹陷处的厚度大于该介电层于该本体区的中央处的厚度；以及

以等向性蚀刻技术蚀刻该介电层，以形成开口于该本体区的中央处。