[发明专利]半导体装置的制造方法和固态图像拾取装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法和固态图像拾取装置的制造方法。所述半导体装置的制造方法包括：在半导体基板之上形成用于在多个绝缘膜中形成开口的具有开口的掩模的步骤，其中在所述半导体基板上依次层叠变为第一绝缘膜的部件、与变为第一绝缘膜的部件不同的变为第二绝缘膜的部件、变为第三绝缘膜的部件、以及与变为第三绝缘膜的部件不同的变为第四绝缘膜的部件；第一步骤，在与所述掩模的开口对应的部分处连续地去除变为第四绝缘膜的部件和变为第三绝缘膜的部件；以及第二步骤，在第一步骤之后，在与所述掩模的开口对应的部分处去除变为第二绝缘膜的部件。

主权项

一种具有半导体基板和多个绝缘膜的半导体装置的制造方法，所述多个绝缘膜包括设置在半导体基板上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、设置在第二绝缘膜上的第三绝缘膜、以及设置在第三绝缘膜上的第四绝缘膜并且具有开口，所述开口至少在第二绝缘膜、第三绝缘膜和第四绝缘膜之间连通，所述方法包括：在所述半导体基板之上形成用于在所述多个绝缘膜中形成开口的具有开口的掩模，其中在所述半导体基板上依次层叠要被形成为第一绝缘膜的部件、由与要被形成为第一绝缘膜的部件的材料不同的材料制成的要被形成为第二绝缘膜的部件、要被形成为第三绝缘膜的部件、以及由与要被形成为第三绝缘膜的部件的材料不同的材料制成的要被形成为第四绝缘膜的部件；通过在要被形成为第四绝缘膜的部件和要被形成为第三绝缘膜的部件均被蚀刻的条件下、用所述掩模蚀刻要被形成为第四绝缘膜的部件和要被形成为第三绝缘膜的部件，连续去除在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第四绝缘膜的部件和在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第三绝缘膜的部件；以及在所述连续去除之后，通过在要被形成为第二绝缘膜的部件的蚀刻速度比要被形成为第一绝缘膜的部件的蚀刻速度高的条件下、用所述掩模蚀刻要被形成为第二绝缘膜的部件，去除在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第二绝缘膜的部件。