[发明专利]半导体装置的制造方法和固态图像拾取装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法和固态图像拾取装置的制造方法。

背景技术

近年来，为了增加进入光电转换部(unit)的光的量，提出了具有波导的固态图像拾取装置。

日本专利公开No.2003-324189公开了具有交替地布置于光电转换部上的两种类型的绝缘膜以提供波导结构的固态图像拾取装置的配置。通过借助于去除在与光电检测器对应的部分处的所述两种类型的绝缘膜而形成开口并用折射率比绝缘膜的折射率高的材料的钝化膜填充该开口，形成所述波导。

发明内容

本发明提供可精确地形成开口的半导体装置制造方法。

根据本发明的半导体装置的制造方法是一种具有半导体基板和多个绝缘膜的半导体装置的制造方法，所述多个绝缘膜包括设置在半导体基板上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、设置在第二绝缘膜上的第三绝缘膜、以及设置在第三绝缘膜上的第四绝缘膜并且具有开口，所述开口至少在第二绝缘膜、第三绝缘膜和第四绝缘膜之间连通。该方法包括：在所述半导体基板之上形成用于在所述多个绝缘膜中形成开口的具有开口的掩模的步骤，其中在所述半导体基板上依次层叠要被形成为第一绝缘膜的部件、由与要被形成为第一绝缘膜的部件的材料不同的材料制成的要被形成为第二绝缘膜的部件、要被形成为第三绝缘膜的部件、以及由与要被形成为第三绝缘膜的部件的材料不同的材料制成的要被形成为第四绝缘膜的部件；通过在要被形成为第四绝缘膜的部件和要被形成为第三绝缘膜的部件均被蚀刻的条件下、用所述掩模蚀刻要被形成为第四绝缘膜的部件和要被形成为第三绝缘膜的部件，连续地去除在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第四绝缘膜的部件和在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第三绝缘膜的部件的第一步骤；以及在第一步骤之后，通过在要被形成为第二绝缘膜的部件的蚀刻速度比要被形成为第一绝缘膜的部件的蚀刻速度高的条件下、用所述掩模蚀刻要被形成为第二绝缘膜的部件，去除在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第二绝缘膜的部件的第二步骤。

本发明提供一种固态图像拾取装置的制造方法，该固态图像拾取装置具有：具备多个光电转换部的半导体基板；多个绝缘膜，包含设置在半导体基板上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、设置在第二绝缘膜上的第三绝缘膜、以及设置在第三绝缘膜上的第四绝缘膜，并具有各自至少在第二绝缘膜、第三绝缘膜和第四绝缘膜之间连通的开口；设置在开口中的每一个中以与多个光电转换部对应的高折射率部件；以及设置在高折射率部件和光电转换部之间的绝缘膜。该方法包括：在所述半导体基板之上形成用于在所述多个绝缘膜中形成开口的具有开口的掩模的步骤，在所述半导体基板上依次层叠要被形成为设置在高折射率部件和光电转换部之间的绝缘膜的部件、要被形成为第一绝缘膜的部件、由与要被形成为第一绝缘膜的部件的材料不同的材料制成的要被形成为第二绝缘膜的部件、要被形成为第三绝缘膜的部件、以及由与要被形成为第三绝缘膜的部件的材料不同的材料制成的要被形成为第四绝缘膜的部件；通过在要被形成为第四绝缘膜的部件和要被形成为第三绝缘膜的部件均被蚀刻的条件下、用所述掩模蚀刻要被形成为第四绝缘膜的部件和要被形成为第三绝缘膜的部件，去除在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第四绝缘膜的部件和在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第三绝缘膜的部件的第一步骤；在第一步骤之后，通过在要被形成为第二绝缘膜的部件的蚀刻速度比要被形成为第一绝缘膜的部件的蚀刻速度高的条件下、用所述掩模蚀刻要被形成为第二绝缘膜的部件，去除在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第二绝缘膜的部件的第二步骤；以及通过在要被形成为第一绝缘膜的部件的蚀刻速度比要被形成为设置在高折射率部件和光电转换部之间的绝缘膜的部件的蚀刻速度高的条件下、用所述掩模蚀刻要被形成为第一绝缘膜的部件，去除在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第一绝缘膜的部件的第三步骤。

参照附图阅读示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。

附图说明

图1是例子1的固态图像拾取装置的像素单元的电路图。

图2是例子1的固态图像拾取装置的像素单元的平面布局的示图。

图3A～3C是表示例子1的固态图像拾取装置的制造方法的示图。

图4A～4C是表示例子1的固态图像拾取装置的制造方法的示图。

图5A和图5B是表示例子1的固态图像拾取装置的制造方法的示图。

图6A～6D是表示例子1的固态图像拾取装置的制造方法的细节的示图。