[发明专利]用于半导体器件的中介层及其制造方法有效
| 申请号： | 201210022531.1 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103107150A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 邱志威;王姿予;吴伟诚;刘淳亦;胡宪斌;侯上勇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于半导体器件的中介层及其制造方法。在一个实施例中，一种中介层包括：衬底；在衬底上设置的接触焊盘；以及位于衬底中的连接至接触焊盘的第一通孔；连接至第一通孔的第一熔丝；位于衬底中的连接至接触焊盘的第二通孔；以及连接至第二通孔的第二熔丝。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 中介 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种中介层，包括：衬底；接触焊盘，被设置在所述衬底上；第一通孔，位于所述衬底中，连接至所述接触焊盘；第一熔丝，连接至所述第一通孔；第二通孔，位于所述衬底中，连接至所述接触焊盘；以及第二熔丝，连接至所述第二通孔。
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