[发明专利]用于半导体器件的中介层及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件制造，更具体而言，涉及用于半导体器件的中介层及其制造方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用，作为实例，比如个人计算机、手机、数码相机、以及其他电子设备。半导体工业通过持续减小集成电路(IC)的最小部件尺寸，从而能够将更多元件集成到给定面积上，进而持续改进各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等等)的集成密度。在一些应用中，这些更小的电子元件也需要比过去的封装件更小的应用更少面积的封装件。

已开发出来的一种类型的较小封装件是三维(3D)IC，在这种封装件中，将两个管芯或者IC接合在一起，并且在管芯和中介层上的接触焊盘之间形成电连接。一些3DIC利用硅通孔从中介层的一侧至另一侧形成连接。

熔丝是有时在半导体器件上形成的器件，可以利用激光通过从半导体器件的顶部或者底部将激光束打在熔丝上，对熔丝进行编程。例如，可以使用熔丝通过连接或者断开冗余电路或者存储器单元来改变IC，从而修复IC或者增加晶圆上的可用IC的数量。

发明内容

一方面，本发明提供了一种中介层，包括：衬底；接触焊盘，所述接触焊盘被设置在所述衬底上；第一通孔，所述第一通孔位于所述衬底中，连接至所述接触焊盘；第一熔丝，所述第一熔丝连接至所述第一通孔；第二通孔，所述第二通孔位于所述衬底中，连接至所述接触焊盘；以及第二熔丝，所述第二熔丝连接至所述第二通孔。

根据上面所述的中介层，其中，所述第一熔丝和所述第二熔丝被设置在再分布层(RDL)中。

根据上面所述的中介层还包括：连接至所述接触焊盘的至少一个第三通孔；以及至少一个第三熔丝，其中，所述至少一个第三熔丝中的每一个都连接至所述至少一个第三通孔之一。

根据上面所述的中介层还包括：连接至所述第一熔丝的第一接合焊盘；以及连接至所述第二熔丝的第二接合焊盘。

根据上面所述的中介层还包括：连接至所述第一接合焊盘的第一凸块；以及连接至所述第二接合焊盘的第二凸块。

根据上面所述的中介层还包括：连接至所述接触焊盘的第三凸块。

根据上面所述的中介层，其中，所述第三凸块大于所述第一凸块和所述第二凸块。

根据上面所述的中介层，其中，所述第一凸块、所述第二凸块、或者所述第三凸块包含焊料。

另一方面，本发明还提供了一种用于封装半导体器件的中介层，其包括：衬底，所述衬底具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；多个通孔，所述多个通孔被设置在邻近所述第一侧的所述衬底中；互连结构，所述互连结构被设置在邻近所述第二侧的所述衬底中，所述互连结构包括多个熔丝；接触焊盘，所述接触焊盘连接至邻近所述第一侧的所述多个通孔中的至少两个，所述多个通孔中的至少两个中的每一个连接至所述多个熔丝之一；以及凸块，所述凸块连接至所述接触焊盘。

根据上面所述的中介层，其中，所述衬底基本上不具有集成电路器件。

根据上面所述的中介层，其中，所述中介层包括三维集成电路(3DIC)中介层。

根据上面所述的中介层，其中，在使用所述中介层封装集成电路之前或者之后，能够利用激光对所述多个熔丝进行编程。

根据上面所述的中介层，其中，所述凸块包括第一凸块，还包括：连接至所述互连结构的凸块下金属化(UBM)结构；以及连接至所述UBM结构的多个第二凸块，并且其中，部分所述UBM结构连接至与所述多个通孔中的至少两个相连接的所述多个熔丝。

根据上面所述的中介层，其中，所述多个第二凸块能够连接至集成电路管芯。

根据上面所述的中介层，其中，所述第一凸块能够连接至衬底、印刷电路板(PCB)、或者集成电路管芯。

本发明还提供了一种使用根据本发明所述的用于封装半导体器件的中介层封装的半导体器件，其中，集成电路管芯的多个接触件电连接至所述多个第二凸块。

根据上面所述的封装半导体器件还包括：在所述集成电路管芯下方设置的底部填充材料。

根据上面所述的封装半导体器件还包括：在所述集成电路管芯和所述中介层的上方设置的模塑料。