[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201210021621.9 申请日: 2012-01-31
公开(公告)号: CN102623438A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 山田启寿;石田正明 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 根据一个实施例,半导体装置包括:电路基板、半导体元件、密封树脂层和导电屏蔽层。该电路基板包括:绝缘层、形成设置在绝缘层的上表面侧上的第一互连层的多个互连、形成设置在绝缘层的下表面侧上的第二互连层的多个互连,以及从绝缘层的上表面穿通到下表面的多个过孔。半导体元件安装在电路基板的上表面侧上。导电屏蔽层覆盖密封树脂层和电路基板端部的一部分。多个过孔中的任何一个与导电屏蔽层电连接。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:电路基板,所述电路基板包括:绝缘层、形成设置在所述绝缘层的上表面侧上的第一互连层的多个互连、形成设置在所述绝缘层的下表面侧上的第二互连层的多个互连和从所述绝缘层的所述上表面穿通到所述绝缘层的所述下表面的多个过孔;半导体元件,所述半导体元件安装在所述电路基板的所述上表面侧上;密封树脂层,所述密封树脂层设置在所述电路基板的所述上表面上并且将所述半导体元件密封;以及导电屏蔽层,所述导电屏蔽层覆盖所述密封树脂层和所述电路基板的端部的一部分,所述多个过孔中的任何一个过孔与所述导电屏蔽层电连接,形成所述第二互连层的所述多个互连中的任何一个互连被电连接到能够变为地电位的外部连接端子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210021621.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top