[发明专利]电容耦合器封装结构有效
| 申请号： | 201210019307.7 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102623439A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 姚皓然;刘建宏;温英男;李士仪;杨惟中;楼百尧;李宏仁 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾桃*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种电容耦合器封装结构，其包括：一基材，其上具有至少一电容器及一接收器，此电容器至少包含一第一电极层及一第二电极层，以及一电容介电层设置于其间，其中此第一电极层以一焊球与此接收器电连接；以及一传送器，与此第二电极层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 耦合器 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种电容耦合器封装结构，包括：基材，其上具有至少一电容器及一接收器，该电容器至少包含一第一电极层及一第二电极层，以及一电容介电层设置于其间，其中该第一电极层以一第一焊球与该接收器电连接；以及传送器，与该第二电极层电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精材科技股份有限公司，未经精材科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210019307.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种AlN晶体的制备方法
- 下一篇：电路断路器
