[发明专利]电容耦合器封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及封装技术，且特别是涉及电容耦合器的封装技术。

背景技术

电容耦合器为一种常用的隔离技术，其可在不通过任何电流的情况下进行信号交换，减少由接地电位差所导致的杂讯及损害。

传统的电容耦合器中，由于电容器与接收器及传送器均是以导线连接。因此，有较高的电阻电容延迟(RC delay)，导致电容耦合器的整体效能不佳。

系统单芯片型(system on chip)的电容耦合器可提供较快的资讯传输速度、较低的功率损耗及较高的电磁抗扰性，其为将电容器及接收器设置于同一基材上，以降低电容器及电阻器之间的阻抗。参见图1，电容器120直接设置在接收器芯片130上，且电容器120以焊线190与传送器芯片140电连接。

然而，为了使系统单芯片型的电容耦合器具有高崩溃电压(例如大于5kV)例如，需使用较厚的电容介电层(例如1.2μm)，因而易造成晶片翘曲的问题。US 2008/0277761发表了一种系统单芯片型的电容耦合器，其中的电容器使用多种介电材料的堆叠层以降低电容介电层的厚度。然而，这也造成系统单芯片型的电容耦合器制造成本高昂。

因此，业界需要的是一种能够同时具有较低的电阻电容延迟及低制造成本的电容耦合器。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电容耦合器封装结构，以解决上述问题。

为达上述目的，本发明的实施例提供一种电容耦合器封装结构，包括：一基材，其上具有至少一电容器及一接收器，此电容器包含一第一电极层及一第二电极层，以及一电容介电层设置于其间，其中此第一电极层以一焊球与此接收器电连接；以及一传送器，与此第二电极层电连接。

本发明的实施例也提供一种电容耦合器封装结构，包括：一基材，具有一上表面及一下表面，至少一电容器，设置于此基材的上表面，此电容器至少包含一第一导电层及一第二导电层，以及一电容介电层设置于其间；一接收器，位于此基材的下表面；以及一传递器，位于此基材的下表面，且与此接收器间隔设置，其中此第一导电层及此第二导电层各自沿着此基材的两侧延伸至此接收器及此传送器作电连接。

为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1为传统系统单芯片型的电容耦合器封装结构的上视图；

图2及图3为本发明一实施例的电容耦合器封装结构的上视图及剖视图；

图4至图7为本发明多个替代实施例的电容耦合器封装结构的多种变化的剖视图；

图8及图9各自为本发明另一实施例的电容耦合器封装结构的上视图及剖视图。

主要元件符号说明

120～电容器             130～接收器

140～传送器             190～焊线

210～绝缘基材           210a～绝缘基材上表面

210b～绝缘基材下表面    220～电容器

230～接收器             240～传送器

250～焊球               260～第一金属层

270～第二金属层         280～电容介电层

290～焊线               300～连接垫

310～焊球               320～焊球

330～焊球

具体实施方式

以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本发明提供许多可供应用的发明概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式，非用以限制本发明的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间必然具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。

本发明的实施例关于一种电容耦合器的封装结构。图2及图3各自绘示本发明一实施例的电容耦合器封装结构的上视图及剖视图。图4至图7绘示本发明多个实施例的电容耦合器封装结构的多种变化的剖视图。图8及图9各自绘示本发明另一实施例的电容耦合器封装结构的上视图及剖视图。