[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201210017576.X | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102623499A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 斋藤涉;小野升太郎;仲敏行;谷内俊治;渡边美穗;山下浩明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的半导体元件具备：第1导电型的第1半导体层、第1导电型的第2半导体层、第2导电型的第3半导体层、第1导电型的第4半导体层、第1控制电极、引出电极、第2控制电极、第3控制电极。上述第1控制电极与上述第2半导体层、上述第3半导体层以及上述第4半导体层隔着第1绝缘膜对置。上述引出电极与上述第1控制电极电连接，设置在上述第2半导体层之上。上述第2控制电极以及上述第3控制电极与上述引出电极电连接，在上述引出电极下隔着第2绝缘膜与上述第2半导体层对置。在上述引出电极下的上述第2半导体层的表面没有设置上述第3半导体层。上述第2控制电极的电阻比上述第3控制电极的电阻高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，具备：第1导电型的第1半导体层；设置在上述第1半导体层之上的第1导电型的第2半导体层；选择性地设置在上述第2半导体层的表面的第2导电型的第3半导体层；选择性地设置在上述第3半导体层的表面的第1导电型的第4半导体层；隔着第1绝缘膜与上述第2半导体层、上述第3半导体层以及上述第4半导体层对置的第1控制电极；与上述第1控制电极电连接、设置在与设置有上述第1控制电极的第1区域不同的第2区域的上述第2半导体层之上的引出电极；与上述引出电极电连接、在上述引出电极下隔着第2绝缘膜与上述第2半导体层对置的第2控制电极以及第3控制电极；与上述第1半导体层连接的第1主电极；和与上述第3半导体层以及上述第4半导体层连接的第2主电极，在上述引出电极下的上述第2半导体层的上述表面，没有设置上述第3半导体层，上述第2控制电极的至少一部分和第3控制电极的整体设置在上述引出电极下，上述第2控制电极的电阻比上述第3控制电极的电阻高。
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