[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，具备：

第1导电型的第1半导体层；

设置在上述第1半导体层之上的第1导电型的第2半导体层；

选择性地设置在上述第2半导体层的表面的第2导电型的第3半导体层；

选择性地设置在上述第3半导体层的表面的第1导电型的第4半导体层；

隔着第1绝缘膜与上述第2半导体层、上述第3半导体层以及上述第4半导体层对置的第1控制电极；

与上述第1控制电极电连接、设置在与设置有上述第1控制电极的第1区域不同的第2区域的上述第2半导体层之上的引出电极；

与上述引出电极电连接、在上述引出电极下隔着第2绝缘膜与上述第2半导体层对置的第2控制电极以及第3控制电极；

与上述第1半导体层连接的第1主电极；和

与上述第3半导体层以及上述第4半导体层连接的第2主电极，

在上述引出电极下的上述第2半导体层的上述表面，没有设置上述第3半导体层，

上述第2控制电极的至少一部分和第3控制电极的整体设置在上述引出电极下，

上述第2控制电极的电阻比上述第3控制电极的电阻高。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

上述引出电极与上述第1控制电极通过第1接触层连接，

上述引出电极、与上述第2控制电极以及上述第3控制电极，通过第2接触层连接。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

上述第2控制电极或者上述第3控制电极的方块电阻比上述第1控制电极的方块电阻高。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

在邻接的上述第3半导体层之间的上述第2半导体层的表面，还设置有第1导电型的第5半导体层，该第1导电型的第5半导体层具有比上述第2半导体层的杂质浓度高的杂质浓度。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

从与上述第1半导体层的主面垂直的方向观察，由上述第2控制电极以及第3控制电极形成的图案为梳形状。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

从与上述第1半导体层的主面垂直的方向观察，上述第3控制电极的图案为漩涡状。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

在上述第2半导体层中，还设置有与上述第3半导体层连接的第2导电型的第6半导体层，

上述第6半导体层在与上述第1半导体层的主面大致平行的方向上周期性设置。

8.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，

在上述第2区域没有设置上述第6半导体层，

上述第2区域中的上述第2半导体层的杂质浓度比上述第1区域中的上述第2半导体层的杂质浓度低。

9.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，

上述第2区域中的上述第2半导体层以及上述第6半导体层的杂质浓度，比上述第1区域中的上述第2半导体层以及上述第6半导体层的杂质浓度低。

10.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，

在上述第2区域中上述第2半导体层与上述第6半导体层交替排列的周期，比在上述第1区域中上述第2半导体层与上述第6半导体层交替排列的周期短。