[发明专利]多芯片晶圆级封装的方法有效
| 申请号： | 201210010835.6 | 申请日： | 2012-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102931102A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 董志航;余俊辉;余振华;史达元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/58;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多芯片晶圆级封装的方法，该方法包括：使用多个感光材料层形成重配置晶圆。在感光材料层中嵌入多个半导体芯片和晶圆。而且，在感光材料层中形成多种组件通孔。嵌入感光材料层中的每个半导体芯片均通过由组件通孔形成的连接路径连接至输入/输出焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 晶圆级 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在晶圆的顶面上附着第一半导体管芯；在所述第一半导体管芯上附着第二半导体管芯；通过将所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯嵌入第一感光材料层，形成重配置晶圆；以及在所述第一感光材料层中形成第一组组件通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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