[发明专利]多芯片晶圆级封装的方法有效

专利信息
申请号: 201210010835.6 申请日: 2012-01-11
公开(公告)号: CN102931102A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 董志航;余俊辉;余振华;史达元 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/58;H01L21/60
代理公司: 北京德恒律师事务所 11306 代理人: 陆鑫;房岭梅
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 晶圆级 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

在晶圆的顶面上附着第一半导体管芯;

在所述第一半导体管芯上附着第二半导体管芯;

通过将所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯嵌入第一感光材料层,形成重配置晶圆;以及

在所述第一感光材料层中形成第一组组件通孔。

2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

使用粘着层在底层上附着所述晶圆;以及

将所述底层与所述晶圆分离。

3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

使用第一粘着层将所述第二半导体芯片附着至所述第一半导体管芯;

使用第二粘着层以背面对正面的方式将所述第一半导体管芯附着至所述晶圆;

在所述第一感光材料层的顶部上形成第一重分配层;以及

在所述第一重分配层的顶部上形成多个焊球。

4.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

使用多个金属凸块以正面对正面的方式将所述第二半导体管芯附着至所述第一半导体管芯;以及

使用多个金属凸块以正面对正面的方式将所述第一半导体管芯附着至所述晶圆。

5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

在所述第二半导体管芯的一侧和所述第一感光材料层的正面之间形成第一组开口;

在所述第一半导体管芯的一侧和所述第一感光材料层的所述正面之间形成第二组开口;以及

在所述晶圆的一侧和所述第一感光材料层的所述正面之间形成第三组开口。

6.根据权利要求5所述的方法,进一步包括:

在所述第一组开口中电镀导电材料;

在所述第二组开口中电镀导电材料;以及

在所述第三组开口中电镀导电材料。

7.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

将所述重配置晶圆切割为多个封装件,其中,每个封装件都包括多个半导体管芯。

8.一种方法,包括:

在第二晶圆的顶面上附着半导体管芯;

通过将所述第二晶圆和所述半导体管芯嵌入到第一感光材料层中,形成第一重配置晶圆;

将所述第一重配置晶圆切割为多个多管芯结构;

在第一晶圆的顶面上附着所述多个多管芯结构;

通过将所述多个多管芯结构嵌入到第二感光材料层中,形成第二重配置晶圆;以及

在所述第二感光材料层中形成第一组组件通孔。

9.根据权利要求8所述的方法,进一步包括:

使用第一粘着层在第一底层上附着所述第一晶圆;以及

使所述第一底层与所述第一晶圆分离。

10.一种方法,包括:

在晶圆的顶面上附着第一半导体管芯;

通过将所述第一半导体管芯嵌入第一感光材料层中,形成第一重配置晶圆;

在所述第一感光材料层中形成第一组组件通孔;

在所述第一感光材料层上附着第二半导体管芯;

在所述第一感光材料层的顶部上形成第二感光材料层,其中,所述第二半导体管芯被嵌入所述第二感光材料层中;以及

在所述第二感光材料层中形成第二组组件通孔。

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