[发明专利]一种AMOLED器件及制作方法无效
| 申请号： | 201210006389.1 | 申请日： | 2012-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102655118A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 李延钊;王刚;王东方;姜春生 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种AMOLED器件及制作方法，涉及主动型有机电致发光器件的制造领域，用于制备出全硅基的AMOLED器件，以降低成本提高产量。该方法，包括：在基板上形成多晶硅层；对多晶硅层进行处理，形成有源区和像素电极区；在有源区上形成栅绝缘层；在基板上形成位于有源区上的栅绝缘层上的栅极；以栅极为掩膜对有源区和像素电极区进行掺杂工艺处理，以使所述有源区形成源极区、有源层、漏极区，使所述像素电极区形成像素电极层；通过薄膜沉积工艺在像素电极层对应的所述像素界定层上形成OLED器件。本发明用于制造AMOLED器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 amoled 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种AMOLED器件的制作方法，其特征在于，包括：在基板的一面上形成多晶硅层；对所述多晶硅层进行构图工艺处理，形成有源区和像素电极区；通过构图工艺处理在所述有源区上形成栅绝缘层；通过构图工艺处理在所述栅绝缘层上形成栅极，其中，所述栅极位于所述有源区上的栅绝缘层上；以所述栅极为掩膜对所述有源区和像素电极区进行掺杂工艺处理，以使所述有源区形成源极区、有源层、漏极区，使所述像素电极区形成像素电极层；在源极区、漏极区通过制备源极金属电极和漏极金属电极形成源极、漏极；通过薄膜沉积工艺在所述像素电极层对应的所述像素界定层上形成OLED器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
