[发明专利]一种AMOLED器件及制作方法

权利要求书

1.一种AMOLED器件的制作方法，其特征在于，包括：

在基板的一面上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行构图工艺处理，形成有源区和像素电极区；

通过构图工艺处理在所述有源区上形成栅绝缘层；

通过构图工艺处理在所述栅绝缘层上形成栅极，其中，所述栅极位于所述有源区上的栅绝缘层上；

以所述栅极为掩膜对所述有源区和像素电极区进行掺杂工艺处理，以使所述有源区形成源极区、有源层、漏极区，使所述像素电极区形成像素电极层；

在源极区、漏极区通过制备源极金属电极和漏极金属电极形成源极、漏极；

通过薄膜沉积工艺在所述像素电极层对应的所述像素界定层上形成OLED器件。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成多晶硅层之前还包括：在基板上沉积缓冲层薄膜，并通过构图工艺形成缓冲层；

所述在基板上形成多晶硅层包括：

通过薄膜沉积工艺在所述缓冲层上形成非晶硅层；

对所述非晶硅层进行晶化工艺处理形成多晶硅层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述有源区和像素电极区进行掺杂工艺处理包括：

对所述有源区和像素电极区进行p掺杂或n掺杂工艺处理。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过沉积工艺在所述栅极、源极、漏极上形成有钝化层；

通过构图工艺在所述钝化层及所述像素电极层上形成像素界定层。

5.根据权利要求1至4任一所述的制作方法，其特征在于，在所述像素电极层对应的所述像素界定层上形成的OLED器件包括：

在形成有所述像素电极层对应的所述像素界定层上制作空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成发光层；

在所述发光层上形成电子传输层；

在所述电子传输层上制作OLED顶部电极。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述像素电极层对应的所述像素界定层上形成的OLED器件还包括：在制作空穴传输层前在所述像素电极层对应的所述像素界定层上制作空穴注入层；

在制作OLED顶部电极时，在电子传输层上制作电子注入层。

7.根据权利要求1至4、6任一所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述基板的另一面上涂布反射金属层。

8.一种AMOLED器件，其特征在于，包括：

基板；

基板上具有源极区、有源层、漏极区和与所述漏极区连接的像素电极层，源极区、漏极区上分别具有源极金属电极和漏极金属电极形成的源极、漏极；

形成在所述源极区、有源层、漏极区上的栅绝缘层；

形成在所述栅绝缘层上的栅极；

形成在所述像素电极层上方的OLED器件层。

9.根据权利要求8所述的AMOLED器件，其特征在于，

在所述基板和所述源极区、有源层、漏极区以及像素电极层之间还包括缓冲层；

在所述像素电极层和OLED器件层之间还包括像素界定层。

10.根据权利要求8所述的AMOLED器件，其特征在于，所述OLED器件层包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、OLED顶部电极。

11.根据权利要求8所述的AMOLED器件，其特征在于，

在所述基板的另一面上形成有金属反射层。