[发明专利]一种AMOLED器件及制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及主动型有机电致发光器件的制造领域，尤其涉及一种AMOLED器件及制作方法。

背景技术

在主动型有机电致发光器件(AMOLED)制作时，传统的TFT开关器件采用非晶硅薄膜作为沟道材料，但是非晶硅的本征载流子的迁移率很低(＜1cm²V^-1s^-1)；因而目前广泛采用多晶硅以及微晶硅等载流子迁移率较高的硅薄膜，来取代非晶硅薄膜作为TFT器件的沟道材料，来满足目前迅速发展的有机发光显示的要求。

在实现上述技术方案的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：在制作AMOLED器件过程中，多晶硅薄膜只是作为TFT器件的沟道材料，采用ITO材料作为像素电极层材料，这样，AMOLED器件结构需要沉积硅和ITO两层薄膜，并进行相关的光刻、刻蚀工艺，增加了工艺流程和制造成本。

发明内容

本发明的实施例提供一种AMOLED器件及制作方法，用于制备出全硅基的AMOLED器件，来降低成本提高产量。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供一种AMOLED制作方法，包括：

在基板的一面上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行构图工艺处理，形成有源区和像素电极区；

通过构图工艺处理在所述有源区上形成栅绝缘层；

通过构图工艺处理在所述基板上形成栅极，其中，所述栅极位于所述有源区上的栅绝缘层上；

以所述栅极为掩膜对所述有源区和像素电极区进行掺杂工艺处理，以使所述有源区形成源极区、有源层、漏极区，使所述像素电极区形成像素电极层；在源极区、漏极区通过制备源极金属电极和漏极金属电极形成源极、漏极；

通过薄膜沉积工艺在所述像素电极层对应的所述像素界定层上形成OLED器件。

一方面，本发明实施例提供一种AMOLED器件，包括：

基板；

基板上具有源极区、有源层、漏极区和与所述漏极区连接的像素电极层，源极区、漏极区上分别具有漏极金属电极和源极金属电极形成的源极、漏极；

形成在所述源极区、有源层、漏极区上的栅绝缘层；

形成在所述栅绝缘层上的栅极；

形成在所述像素电极层上方的OLED器件层。

本发明实施例提供一种AMOLED器件及制作方法，通过在缓冲层上将非晶硅材料制备成多晶硅层，并将多晶硅层根据所需图形利用一次构图工艺，同时形成有源区和像素电极区，从而制备出全硅基的AMOLED器件，从而减少构图工艺，降低成本提高产量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的AMOLED的制作过程示意图一；

图2为本发明实施例提供的AMOLED的制作过程示意图二；

图3为本发明实施例提供的AMOLED的制作过程示意图三；

图4为本发明实施例提供的AMOLED的制作过程示意图四

图5为本发明实施例提供的AMOLED的制作过程示意图五；

图6为本发明实施例提供的AMOLED的制作过程示意图六；

图7为本发明实施例提供的AMOLED的制作过程示意图七；

图8为本发明实施例提供的AMOLED的制作过程示意图八；

图9为本发明实施例提供的AMOLED的制作过程示意图九；

图10为本发明实施例提供的制作完成的AMOLED的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的制作完成的AMOLED的另一种结构示意图。

附图标记：

1-基板，2-缓冲层，3-非晶硅层，30-多晶硅层，301-有源区，302-像素电极区，31-源极区、有源层、漏极区，32-像素电极层(阳极或阴极)，4-栅绝缘层，5-栅极，6-源漏极，7-钝化层，8-像素界定层，9-OLED器件，91-空穴传输层，92-有机发光层，93-电子传输层，94-OLED顶部电极(透光或半透光阴极、阳极)，10-金属反光层。

具体实施方式