[发明专利]氮化物单晶的制造方法及其使用的高压釜无效
| 申请号： | 201180071853.9 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN103635616A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 青木谦介;吉田一男;中村克仁;福田承生 | 申请（专利权）人： | 旭化成株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B7/10 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国大阪府大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 供可以兼备高结晶生长速率和高结晶品质的氮化物单晶的新制造方法及可用于该方法的新高压釜。本发明提供氮化物单晶的制造方法及可用于该方法的高压釜，所述方法是通过氨热法制造含Ga氮化物单晶的方法，包含：向高压釜内至少导入原料、酸性矿化剂、氨后，在单晶生长部位的温度（T1）为600℃～850℃、该单晶生长部位的温度（T1）与原料供应部位的温度（T2）之间存在T1>T2的关系、并且该高压釜内的压力为40MPa～250MPa的条件下，令含Ga氮化物单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 制造 方法 及其 使用 高压 | ||
【主权项】：
一种氮化物单晶的制造方法，是通过氨热法用原料制造含Ga氮化物单晶的方法，所述原料含有选自由含Ga氮化物多晶、含Ga氮化物及含Ga氮化物前驱体构成的群的至少1种，所述氮化物单晶的制造方法包含：向高压釜内至少导入该原料、1种以上的酸性矿化剂和氨后，在满足以下（a）～（e）的条件下，令含Ga氮化物单晶生长：（a）该高压釜内，存在装载该原料的原料供应部位、和用于令该含Ga氮化物单晶生长的单晶生长部位，（b）该单晶生长部位是装载晶种的部位，（c）该单晶生长部位的温度T1为600℃～850℃，（d）该单晶生长部位的温度T1与该原料供应部位的温度T2之间，存在T1>T2的关系，且（e）该高压釜内的压力为40MPa～250MPa。
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