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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于制备蓝宝石单晶的氧化铝原料和用于制备蓝宝石单晶的方法-CN201380027776.6在审
发明人：尾崎裕谦;福田承生 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明公开了用于制备蓝宝石单晶的氧化铝原料，其含有至少一种选自由下面示出的元素(1)-(3)组成的组的元素X，其中所述元素X的浓度以原子表示为10ppm或以上且1,000ppm或以下，并且硅(Si)、镓(Ga)、锗(Ge)和锡(Sn)各自的浓度以原子表示均为10ppm或以下，元素X：(1)具有离子半径为0.3Å或以下和化合价为3的元素，(2)具有离子半径为0.4Å或以上且0.5Å或以下和化合价为4的元素，(3)具有离子半径为0.6Å或以上且0.7Å或以下和化合价为4或5的元素。
用于制备蓝宝石氧化铝原料方法

[发明专利]氮化物单晶的制造方法及其使用的高压釜-CN201180071853.9无效
发明人：青木谦介;吉田一男;中村克仁;福田承生 -专利权人：旭化成株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：供可以兼备高结晶生长速率和高结晶品质的氮化物单晶的新制造方法及可用于该方法的新高压釜。本发明提供氮化物单晶的制造方法及可用于该方法的高压釜，所述方法是通过氨热法制造含Ga氮化物单晶的方法，包含：向高压釜内至少导入原料、酸性矿化剂、氨后，在单晶生长部位的温度（T1）为600℃～850℃、该单晶生长部位的温度（T1）与原料供应部位的温度（T2）之间存在T1>T2的关系、并且该高压釜内的压力为40MPa～250MPa的条件下，令含Ga氮化物单晶生长。
氮化物制造方法及其使用高压

[发明专利]闪烁体材料及闪烁检测器-CN201180029633.X无效
发明人：加纳正孝;若宫章;山之井航平;清水俊彦;猿仓信彦;E·迪尔克;福田承生 -专利权人：株式会社大真空
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C09K11/00 文献下载
摘要：一种闪烁体材料，由在以C面为主面的板状氧化锌的籽晶的+C面上或-C面上结晶成长的氧化锌单晶构成，所述氧化锌单晶中含有In和Li。该闪烁体材料因放射线的入射而发出荧光寿命低于20ps的荧光。
闪烁材料检测器

[发明专利]含Pr的闪烁体用单晶及其制造方法和放射线检测器以及检查装置-CN201210270147.3有效
发明人：吉川彰;荻野拓;镰田圭;青木谦治;福田承生 -专利权人：东北泰克诺亚奇股份有限公司;古河机械金属株式会社
申请日： 2005-11-07 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用于X射线CT、放射线透过检查装置的，具有极高发光量的氧化物闪烁体单晶，具体地说，提供含Pr的柘榴石型氧化物单晶、含Pr的钙钛矿型氧化物单晶以及含Pr的硅酸盐氧化物单晶，其特征在于，它们均能够检测出被推测为伴随Pr的5d－4f之间的迁移而引起的发光。
pr 闪烁体用及其制造方法放射线检测器以及检查装置

[发明专利]含Pr的闪烁体用单晶及其制造方法和放射线检测器以及检查装置-CN201210270265.4无效
发明人：吉川彰;荻野拓;镰田圭;青木谦治;福田承生 -专利权人：东北泰克诺亚奇股份有限公司;古河机械金属株式会社
申请日： 2005-11-07 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用于X射线CT、放射线透过检查装置的，具有极高发光量的氧化物闪烁体单晶，具体地说，提供含Pr的柘榴石型氧化物单晶、含Pr的钙钛矿型氧化物单晶以及含Pr的硅酸盐氧化物单晶，其特征在于，它们均能够检测出被推测为伴随Pr的5d－4f之间的迁移而引起的发光。
pr 闪烁体用及其制造方法放射线检测器以及检查装置

[发明专利]氮化物半导体的制造方法、结晶生长速度增加剂、氮化物单晶、晶片及器件-CN200780038372.1无效
发明人：川端绅一郎;伊藤浩久;德克·埃伦特劳特;镜谷勇二;吉川彰;福田承生 -专利权人：三菱化学株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物半导体的制造方法，其包括：控制加入了具有六方晶系晶体结构的晶种、含有氮元素的溶剂、包含周期表第13族金属元素的原料物质及矿化剂的高压釜内的温度及压力，以使所述溶剂达到超临界状态和/或亚临界状态，从而通过氨热性法使氮化物半导体在所述晶种的表面结晶生长的工序，其中，所述晶种上的m轴方向结晶生长速度为所述晶种上的c轴方向结晶生长速度的1.5倍以上。由此，能够高效、简便地制造具有大口径C面的氮化物半导体、及m轴方向较厚的氮化物半导体。
氮化物半导体制造方法结晶生长速度增加晶片器件

[发明专利]使用超临界溶剂的结晶制造方法、结晶生长装置、结晶及器件-CN200680023605.6有效
发明人：川端绅一郎;吉川彰;镜谷勇二;福田承生 -专利权人：三菱化学株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2006-06-29 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明的目的在于，在反应容器内存在规定量的与溶剂临界密度不同的物质，通过溶剂热法进行结晶生长，从而控制结晶的析出位置，提高结晶的收率，此外，防止在结晶中混入杂质，从而使结晶高纯度化。本发明的结晶制造方法是在反应容器中使用超临界状态和/或亚临界状态的溶剂以及原料而使结晶生长，其特征在于，在该反应容器中存在满足式(1)且与该溶剂的临界密度差为25％以上的物质(X)，通过调整该物质(X)的量，控制结晶的析出位置。
使用临界溶剂结晶制造方法生长装置器件

[发明专利]含Pr的闪烁体用单晶及其制造方法和放射线检测器以及检查装置-CN200580043461.6无效
发明人：吉川彰;荻野拓;镰田圭;青木谦治;福田承生 -专利权人：东北泰克诺亚奇股份有限公司;古河机械金属株式会社
申请日： 2005-11-07 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用于X射线CT、放射线透过检查装置的，具有极高发光量的氧化物闪烁体单晶，具体地说，提供含Pr的柘榴石型氧化物单晶、含Pr的钙钛矿型氧化物单晶以及含Pr的硅酸盐氧化物单晶，其特征在于，它们均能够检测出被推测为伴随Pr的5d－4f之间的迁移而引起的发光。
pr 闪烁体用及其制造方法放射线检测器以及检查装置

[发明专利]闪烁体与放射线检测器以及放射线检查装置-CN200480024303.1无效
发明人： 福田承生;菊山裕久;里永知彦;小池光 -专利权人：斯特拉化学株式会社
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：提供一种闪烁体材料，具有优良的发光强度与衰减速度特性，并且容易培育结晶。闪烁体是Pr_1－xCe_xF₃ (0＜x＜0.5)的结晶，可以在紫外线或可见光区域发出光线或射线。
闪烁放射线检测器以及检查装置

[发明专利]氟化物晶体的制造方法-CN200480020566.5有效
发明人：里永知彦;菊山裕久;福田承生 -专利权人：斯特拉化学株式会社;株式会社福田结晶技术研究所
申请日： 2004-07-20 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种可以制造任意形状的氟化物晶体的氟化物晶体的制造方法。本发明是通过从容纳氟化物原料的熔融液且底部具有孔的坩埚中下拉单晶来制造氟化物单晶的氟化物晶体的制造方法，其特征在于，使位于前述孔的出口部的面形成为所希望的任意的面形状来进行单晶的下拉。通过使用能够对应于氟化物的坩埚材料的碳、铂、铱，并设置考虑了与各个氟化物之间的润湿性的坩埚的形状，可以育成适合目的形状的氟化物晶体。
氟化物晶体制造方法

[发明专利]氟化物晶体的制造装置-CN200480010535.1有效
发明人： 福田承生;菊山裕久;里永知彦 -专利权人：斯特拉化学株式会社;株式会社福田结晶技术研究所
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：提供可用极短的时间制造氟化物晶体的制造装置及制造方法。对装置实施改造，使之具有能处理氟化物的反应室、窗户材等，可进行高真空排气，且使种晶与熔融液容易接触，并且通过使用对坩埚坑部的毛细部进行了控制的坩埚，能够用短时间稳定地得到高品质的氟化物单晶。
氟化物晶体制造装置

[发明专利]氟化物中的杂质及色中心分析方法及单结晶培养用材料的制造方法-CN200480008530.5无效
发明人： 福田承生;菊山裕久;里永知彦;正神和彦 -专利权人：斯特拉化学株式会社
申请日： 2004-03-04 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：本发明之目的在于提供能极简单地分析氟化物中的杂质及色中心的氟化物中的杂质及色中心分析方法。并提供可在形成最终单结晶前对清除剂的添加效果进行评价的氟化物中的杂质及色中心分析方法。以X射线照射得到的熔融原料，通过测定该照射前后的透光率来检测形成的色中心等的吸收峰等。据此使清除剂等的熔融条件最优化，从而可培育出适合于X射线损伤少的单结晶培养的高纯度熔融原料。
氟化物中的杂质中心分析方法结晶培养用材制造

[发明专利]氟化钙生成态单晶-CN200310116494.1无效
发明人：绳田辉彦;仓元信行;柳裕之;福田承生 -专利权人：德山株式会社
申请日： 2003-11-19 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种大直径、小双折射值的氟化钙生成态单晶。本发明的氟化钙生成态单晶用单晶拉制法(Czochralski法)制造，其圆柱形部分直径大于17厘米，圆柱形部分长度较好大于50毫米，双折射值不大于3纳米/厘米，较好为0.1－2.0纳米/厘米。
氟化钙生成态单晶

[发明专利]碱土金属氟化物生成态单晶-CN200310116498.X无效
发明人：绳田辉彦;仓元信行;柳裕之;福田承生 -专利权人：德山株式会社
申请日： 2003-11-19 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明的碱土氟化物生成态单晶采用单晶拉制法生产，单晶圆柱形部分直径不小于17cm，单晶圆柱形部分长度最好不小于5cm，在632.8nm波长所测的透光度，不小于80％，最好是90至98％。本发明的单晶的主晶体生长面是{111}晶面或{100}晶面。本发明的碱土金属氟化物单晶具有上述的最大直径，尽管它在生成态其外周表面是透明的，可见光透光度很高。而且，无需晶体进行复杂加工，可以检查气泡或夹杂物，从此单晶中可以切割出具有优良特性如高质量和高均匀性的大尺寸光学材料。
碱土金属氟化物生成态单晶

[发明专利]声表面波器件及其基片-CN00117890.3无效
发明人：井上宪司;福田承生;佐藤胜男;守越広树;川嵜克己;内田清志 -专利权人： TDK股份有限公司
申请日： 2000-06-02 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：一种电气机械耦合系数大和SAW速度低的声表面波器件的压电基片，和利用该基片的声表面波器件，使用属于点族32和晶体结构Ca₃Ga₂Ce₄O₁₄的单晶，基本成分可用化学式La_3-xSr_xTa_0.5-0.5xGa_5.5-0.5xO₁₄表示。Sr的成分比在0＜x≤0.15范围内。还提供一种声表面波器件，叉指式指形电极作在基片的一主要表面上。当从单晶上切下来的基片的切割角度和表面声波的传播方向用欧拉角度(φ，θ，ψ)表示时，选择这些角度，可得到适当的特性。
表面波器件及其

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