[发明专利]单晶碳化硅外延生长用供料件和单晶碳化硅的外延生长方法有效
| 申请号： | 201180062452.7 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103270203A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 鸟见聪;野上晓;松本强资 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/04 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够提高碳化硅外延生长速度的单晶碳化硅外延生长用供料件。单晶碳化硅外延生长用供料件11具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 生长 供料 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶碳化硅外延生长用供料件，其用于单晶碳化硅的外延生长方法，该供料件的特征在于：具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层，通过所述表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与所述（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。
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