[发明专利]功率半导体模块和用于制造与温度传感器一起烧结的功率半导体模块的方法有效
| 申请号： | 201180053352.8 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103403862A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | R·埃塞勒 | 申请（专利权）人： | 丹福斯矽电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/15 | 分类号： | H01L23/15;H01L23/34;G01K7/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;卢江 |
| 地址： | 德国石*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于制造与有源器件共同烧结的可烧结的电器件的方法，其中平面形式的器件配备有至少一个特定用于烧结的平坦底侧，并且在与烧结面相对的面上以金属接触面的形式存在电接触区，所述面在上侧可以通过来自线接合或钎焊或烧结或压力接触的组中的常用方法来接触，其中该器件是温度传感器，在其底侧上在陶瓷体上设置可烧结的金属化部，并在其陶瓷体上设置用于延续电连接的电接触面。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 用于 制造 温度传感器 一起 烧结 方法 | ||
【主权项】：
用于制造与可烧结的温度传感器(20)一起烧结的功率半导体模块的方法，具有步骤：构造平面形式的温度传感器(20)，其具有至少一个特定用于烧结的平坦的底侧，以及在与烧结面相对的面上构造电接触区，所述面在上侧能通过来自线接合或钎焊或烧结或压力接触或超声波焊接的组中的常用方法接触，其特征在于，在温度传感器(20)的底侧上可烧结的金属化部(10)被施加在陶瓷体(12)上，并且在陶瓷体(12)的中心构造由Pt或Ni构成的导体线路(14)并且在侧面构造两个上侧的接触面(16、18)作为电接触区。
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