[发明专利]晶片级发光二极管封装件及其制造方法有效
| 申请号： | 201180046150.0 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103119735A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 徐源哲;葛大成 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/02;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 发光二极管 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔被电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块被电连接到第二导电型半导体层；以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
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