[发明专利]晶片级发光二极管封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括：

半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；

多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；

第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔被电连接到第一导电型半导体层；

第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块被电连接到第二导电型半导体层；以及

保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件还包括布置在半导体堆叠件的第二侧上的波长转换器，第二侧与半导体堆叠件的第一侧相对。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装件，其中，波长转换器包括磷光体片或掺杂有杂质的单晶基底。

4.如权利要求2所述的发光二极管封装件，其中，波长转换器包括与保护绝缘层的侧表面齐平的侧表面。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，保护绝缘层包括分布式布拉格反射器。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，第一导电型半导体层包括粗糙的表面。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括布置在第一凸块和第二凸块的侧表面上的绝缘层。

8.如权利要求7所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件还包括布置在第一凸块和第二凸块之间的哑凸块。

9.如权利要求1所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件还包括包含第一通孔和第二通孔的基底，第一凸块和第二凸块分别布置在第一通孔和第二通孔中。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装件，其中，基底包括蓝宝石或硅。

11.如权利要求1所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件还包括：

第一接触层，包括接触多个接触孔中的第一导电型半导体层的第一接触部分和将第一接触部分彼此连接的连接部分；以及

第二接触层，接触第二导电型半导体层，

其中，保护绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层布置在第一接触层和第二接触层之间并覆盖第二接触层，第二绝缘层布置在半导体堆叠件和第一接触层之间并覆盖第一接触层，

其中，第一凸块电连接到第一接触层，第二凸块电连接到第二接触层。

12.如权利要求11所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件还包括：

第一电极焊盘，穿过布置在第二绝缘层中的第一接触孔接触第一接触层；以及

第二电极焊盘，穿过布置在第二绝缘层和第一绝缘层中的第二接触孔接触第二接触层，

其中，第一凸块和第二凸块分别接触第一电极焊盘和第二电极焊盘。

13.如权利要求11所述的发光二极管封装件，其中，第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个包括分布式布拉格反射器。

14.一种发光二极管模块，所述发光二极管模块包括：

电路板；

如权利要求1所述的发光二极管封装件，布置在电路板上；以及

透镜，调节从发光二极管封装件发射的光的方向角。

15.如权利要求14所述的发光二极管模块，其中，电路板包括金属核心印刷电路板，多个发光二极管封装件布置在金属核心印刷电路板上。

16.一种制造发光二极管封装件的方法，所述方法包括：

在第一基底上形成半导体堆叠件，半导体堆叠件包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；

使半导体堆叠件图案化以形成芯片分离区域；

使第二导电型半导体层和有源层图案化，以形成暴露第一导电型半导体层的多个接触孔；

形成覆盖半导体堆叠件的芯片分离区域中的侧壁的保护绝缘层；以及

在半导体堆叠件上形成第一凸块和第二凸块，

其中，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层，第二凸块电连接到第二导电型半导体层。

17.如权利要求16所述的方法，其中，第一基底包括用于转换在有源层中产生的光的波长的杂质。