[发明专利]利用μ-PCD法的薄膜半导体的结晶性评价装置

摘要

本发明涉及薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及结晶性评价方法，其中，通过对薄膜半导体(2a)的样品(2)的测定部位照射激发光及电磁波，并检测来自样品(2)的反射电磁波的强度来对样品(2)的结晶性进行评价。而且，样品(2)的薄膜半导体(2a)形成在导电性膜(2b)上，并且还在样品(2)和放射电磁波的波导管(13)之间设置有对于激发光具有透光性的介电体(3)。因此，具有该构成的薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及方法，即使在如上述那样在半导体薄膜(2a)下形成有导电性膜(2b)的情况下，也能够进行该半导体薄膜的结晶性评价。

主权项

一种薄膜半导体的结晶性评价装置，包括：激发光照射部，对薄膜半导体的样品的测定部位照射具有所述薄膜半导体的能带间隙以上的能量的激发光；电磁波照射部，向所述激发光的照射位置照射电磁波；检测部，检测基于所述激发光的照射而变化的来自所述样品的反射电磁波的强度；评价部，根据所述检测部的检测结果来评价所述样品的结晶性；该薄膜半导体的结晶性评价装置的特征在于：所述样品的所述薄膜半导体形成在导电性膜上，该薄膜半导体的结晶性评价装置还包括：介电体，设置在所述样品与所述电磁波照射部之间，且对于所述激发光具有透光性。