[发明专利]利用μ-PCD法的薄膜半导体的结晶性评价装置

权利要求书

1.一种薄膜半导体的结晶性评价装置，包括：

激发光照射部，对薄膜半导体的样品的测定部位照射具有所述薄膜半导体的能带间隙以上的能量的激发光；

电磁波照射部，向所述激发光的照射位置照射电磁波；

检测部，检测基于所述激发光的照射而变化的来自所述样品的反射电磁波的强度；

评价部，根据所述检测部的检测结果来评价所述样品的结晶性；

该薄膜半导体的结晶性评价装置的特征在于：

所述样品的所述薄膜半导体形成在导电性膜上，

该薄膜半导体的结晶性评价装置还包括：

介电体，设置在所述样品与所述电磁波照射部之间，且对于所述激发光具有透光性。

2.根据权利要求1所述的薄膜半导体的结晶性评价装置，其特征在于：

满足d＝λ/4(ε)^1/2的关系，其中，ε为所述介电体的介电常数，d为所述介电体的厚度，λ为所照射的电磁波的波长。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜半导体的结晶性评价装置，其特征在于：

所述评价部基于由所述检测部所检测的所述反射电磁波的强度的峰值来评价结晶性。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜半导体的结晶性评价装置，其特征在于：

所述激发光照射部对所述样品照射以指定周期被强度调制的激发光，

所述评价部抽出由所述检测部所检测的反射电磁波的强度中与所述激发光的强度调制同步的周期成分，并根据该检测信号强度来评价所述样品的结晶性。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜半导体的结晶性评价装置，其特征在于：

所述介电体以隔开微小间隔的方式设置在所述样品上方。

6.根据权利要求5所述的薄膜半导体的结晶性评价装置，其特征在于：

所述电磁波照射部包括将所述电磁波引导至所述激发光的照射位置的波导管，

所述介电体安装于所述电磁波照射部的所述波导管的远端。

7.一种薄膜半导体的结晶性评价方法，对薄膜半导体的样品的测定部位照射具有所述薄膜半导体的能带间隙以上的能量的激发光，并配合所述激发光的照射而向所述照射位置照射电磁波，且检测基于所述激发光的照射而变化的来自所述样品的反射电磁波的强度，而且根据所述检测结果来评价所述样品的结晶性，

该薄膜半导体的结晶性评价方法的特征在于：

所述样品的所述薄膜半导体形成在导电性膜上，

所述样品与所述电磁波照射部之间设置有介电体，该介电体对于所述激发光具有透光性。