[发明专利]半导体衬底的密度可变等离子体处理

摘要

本发明描述了用于生成密度可变等离子体的方法和硬件。例如，在一实施方式中，处理站包括喷头和衬底架，所述喷头包括喷头电极，所述衬底架包括被构造来支撑衬底的台面，其中所述衬底架被设置在所述喷头的下方。所述衬底架包括设置在所述衬底架的内侧区域中的内电极和设置在所述衬底架的外侧区域中的外电极。所述处理站进一步包括被配置来在位于所述喷头和所述衬底架之间的等离子体区域中生成等离子体的等离子体发生器，以及被配置来控制所述等离子体发生器、所述内电极、所述外电极和所述喷头电极以实现所述等离子体区域的外侧部分中的等离子体密度大于所述等离子体区域的内侧部分中的等离子体密度的控制器。

主权项

一种半导体衬底处理站，其包括：包括喷头电极的喷头；包括台面的衬底架，所述台面包括被构造来支撑衬底的台面表面，所述衬底架被设置在所述喷头的下方，且所述衬底架包括设置在所述衬底架的内侧区域中的内电极和设置在所述衬底架的外侧区域中的外电极；等离子体发生器，其被配置来在位于所述喷头和所述衬底架之间的等离子体区域中生成等离子体；以及控制器，其包括存储在存储器中并能够由处理器执行以控制控制所述等离子体发生器、所述内电极、所述外电极和所述喷头电极从而通过使所述外电极耦合于从所述内电极和所述喷头电极中的一者选定的第二电极来实现所述等离子体区域的外侧部分中的等离子体密度大于所述等离子体区域的内侧部分中的等离子体密度的指令。