[发明专利]陶瓷通孔基板、金属化陶瓷通孔基板、它们的制造方法有效
| 申请号： | 201180034230.4 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102986024A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 高桥直人;山本泰幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/15;H05K1/09;H05K1/11;H05K3/40 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种能够采用简便方法制造的陶瓷通孔基板，其是在陶瓷烧结体基板上形成导电性通孔而成的陶瓷通孔基板，该陶瓷通孔基板具有在贯通孔中密填充导电性金属而得到的所述导电性通孔，所述导电性金属包含熔点为600℃以上且1100℃以下的金属（A）、熔点高于该金属（A）的金属（B）、以及活性金属，所述导电性通孔与所述陶瓷烧结体基板的界面形成有活性层。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 通孔基板 金属化 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种陶瓷通孔基板，其是在陶瓷烧结体基板上形成导电性通孔而成的陶瓷通孔基板，该陶瓷通孔基板具有在贯通孔中密填充导电性金属而成的所述导电性通孔，所述导电性金属包含熔点为600℃以上且1100℃以下的金属（A）、熔点高于该金属（A）的金属（B）、以及活性金属，所述导电性通孔与所述陶瓷烧结体基板的界面形成有活性层。
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