[发明专利]陶瓷通孔基板、金属化陶瓷通孔基板、它们的制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷通孔基板，其是在陶瓷烧结体基板上形成导电性通孔而成的陶瓷通孔基板，

该陶瓷通孔基板具有在贯通孔中密填充导电性金属而成的所述导电性通孔，所述导电性金属包含熔点为600℃以上且1100℃以下的金属（A）、熔点高于该金属（A）的金属（B）、以及活性金属，所述导电性通孔与所述陶瓷烧结体基板的界面形成有活性层。

2.根据权利要求1所述的陶瓷通孔基板，其中，所述熔点为600℃以上且1100℃以下的金属（A）选自金焊料、银焊料和铜中的一种或两种以上。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷通孔基板，其中，所述熔点高于金属（A）的金属（B）选自银、铜和金中的一种或两种以上。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的陶瓷通孔基板，其中，所述活性层是所述活性金属与所述陶瓷烧结体基板的陶瓷成分反应形成的反应层。

5.根据权利要求4所述的陶瓷通孔基板，其中，

所述活性金属是钛，与该钛反应的所述陶瓷成分是氮，

所述反应层是氮化钛层。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的陶瓷通孔基板，其中，所述陶瓷烧结体基板是氮化铝烧结体基板。

7.一种金属化陶瓷通孔基板，其在权利要求1~6中任一项所述的陶瓷通孔基板的表面和/或背面形成有由导电性金属构成的布线图案，所述导电性金属包含金属（A）、金属（B）以及活性金属。

8.一种权利要求1所述的陶瓷通孔基板的制造方法，其包括下述工序而成：

准备具有贯通孔的陶瓷烧结体基板的工序；

在所述贯通孔中填充第一金属糊剂的填充工序，所述第一金属糊剂包含熔点高于金属（A）的金属（B）粉末、以及活性金属粉末而成；

将包含熔点为600℃以上且1100℃以下的金属（A）粉末而成的第二金属糊剂层叠到与所述贯通孔中填充的第一金属糊剂接触的位置，从而形成第二金属糊剂层的工序；以及，

将上述所得到的基板烧成的烧成工序。

9.一种权利要求7所述的金属化陶瓷通孔基板的制造方法，其包括下述工序而成：

准备具有贯通孔的陶瓷烧结体基板的工序；

在所述贯通孔中填充第一金属糊剂的填充工序，所述第一金属糊剂包含熔点高于金属（A）的金属（B）粉末、以及活性金属粉末而成；

将包含熔点为600℃以上且1100℃以下的金属（A）粉末而成的第二金属糊剂层叠到与所述贯通孔中填充的第一金属糊剂接触的位置，从而形成第二金属糊剂层的工序；

将上述所得到的基板烧成的第一烧成工序；

在该第一烧成工序之后，将第三金属糊剂层叠到用于形成布线图案的位置，从而形成第三金属糊剂层的工序，所述第三金属糊剂包含熔点高于所述金属（A）的金属（B）粉末以及所述活性金属粉末而成；

进而，将包含所述熔点为600℃以上且1100℃以下的金属（A）粉末而成的第四金属糊剂层叠到该第三金属糊剂层之上，从而形成第四金属糊剂层的工序；以及，

将上述所得到的基板烧成的第二烧成工序。

10.一种权利要求7所述的金属化陶瓷通孔基板的制造方法，其包括下述工序而成：

准备具有贯通孔的陶瓷烧结体基板的工序；

在所述贯通孔中填充第一金属糊剂的填充工序，所述第一金属糊剂包含熔点高于金属（A）的金属（B）粉末、以及活性金属粉末而成；

将第三金属糊剂层叠到与所述第一金属糊剂接触的位置且是用于形成布线图案的位置，从而形成第三金属糊剂层的工序，所述第三金属糊剂包含熔点高于所述金属（A）的金属（B）粉末以及所述活性金属粉末而成；

将包含所述熔点为600℃以上且1100℃以下的金属（A）粉末而成的第五金属糊剂层叠到该第三金属糊剂层之上，从而形成第五金属糊剂层的工序；

将上述所得到的基板烧成的烧成工序。