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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氮化铝粉末的制造方法、氮化铝粉末和包装体-CN202180012077.9在审
发明人： 山本泰幸;佐藤秀树 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C01B21/072 文献下载
摘要：制造块状物状态的氮化铝，其能通过轻粉碎很容易地细化，这是通过现有的燃烧合成法无法得到的。一种氮化铝粉末的制造方法，其为通过使用金属铝粉末的燃烧合成法制造氮化铝的方法，其特征在于，将混合粉末在氮气气氛下点火使其燃烧，所述混合粉末是将作为稀释剂的平均一次粒径3μm以下的氮化铝粉末以相对于金属铝粉末100质量份为150～400质量份的比例混合而得到的。
氮化粉末制造方法包装

[发明专利]不含粗大粒子的氮化铝粉末-CN201880005127.9有效
发明人：稻木喜孝;伊本靖司;山本泰幸;姬野雅孝 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C01B21/072 文献下载
摘要：本发明提供粗粒少的氮化铝粉末。进而，提供可得到树脂亲和性高、且耐湿性高的树脂组合物的氮化铝粉末。本发明为在用激光衍射散射式粒度分布计测定的粒度分布中，体积平均粒径D50为0.5～7.0μm、D90/D50比为1.3～3.5、且BET比表面积为0.4～6.0m2/g的氮化铝粉末，在所述氮化铝粉末中，分级除去了粒径大于D90的5倍的粗粒。当用研磨细度计测定由这样的氮化铝粉末和树脂得到的树脂糊时，产生条痕的上限粒径为D90的5倍以下。进而，通过将经过分级的氮化铝粉末进行表面改性，能够得到向树脂的填充性高、且所得树脂组合物的耐湿性和绝缘性良好的氮化铝粉末。
粗大粒子氮化粉末

[发明专利]金属化陶瓷通孔基板及其制造方法-CN201310022616.4有效
发明人：高桥直人;山本泰幸 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明提供能够采用简便的方法制造的、可高精细化布线图案的金属化陶瓷通孔基板及其制造方法。金属化陶瓷通孔基板在陶瓷烧结体基板中形成有导电性通孔，其具有在陶瓷烧结体基板的贯通孔中密填充导电性金属而成的导电性通孔，所述导电性金属包含熔点为600℃以上且1100℃以下的金属（A）、熔点高于该金属（A）的金属（B）以及活性金属；在陶瓷烧结体基板的两面中的至少一个面具有布线图案，该布线图案具有由包含金属（A）、金属（B）和活性金属的导电性金属形成的表面导电层；布线图案在表面导电层的表面具有镀覆层；陶瓷烧结体基板与导电性通孔、表面导电层的界面形成有活性层。
金属化陶瓷通孔基板及其制造方法

[发明专利]金属化基板、金属糊剂组合物、以及金属化基板的制造方法-CN201180057934.3有效
发明人：高桥直人;山本泰幸;潮田会美 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：本发明提供可采用更简便的方法形成精细图案的金属化基板的制造方法、采用该方法制造的金属化基板、以及该方法中使用的金属糊剂组合物。制成如下金属化基板（100），该金属化基板（100）具备：氮化物陶瓷烧结体基板（10）；该烧结体基板（10）上形成的氮化钛层（20）；该氮化钛层（20）上形成的含铜及钛的密合层（30）；该密合层（30）上形成的铜镀覆层（40），密合层（30）的厚度为0.1μm以上且5μm以下。
金属化金属组合以及制造方法

[发明专利]陶瓷通孔基板、金属化陶瓷通孔基板、它们的制造方法-CN201180034230.4有效
发明人：高桥直人;山本泰幸 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种能够采用简便方法制造的陶瓷通孔基板，其是在陶瓷烧结体基板上形成导电性通孔而成的陶瓷通孔基板，该陶瓷通孔基板具有在贯通孔中密填充导电性金属而得到的所述导电性通孔，所述导电性金属包含熔点为600℃以上且1100℃以下的金属（A）、熔点高于该金属（A）的金属（B）、以及活性金属，所述导电性通孔与所述陶瓷烧结体基板的界面形成有活性层。
陶瓷通孔基板金属化它们制造方法

[发明专利]金属化陶瓷基板芯片的制造方法-CN200780039504.2无效
发明人： 山本泰幸;山本光一;前田昌克 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种金属化陶瓷基板芯片的制造方法。其中，使原料基板的金属配线图案单元的至少一部分的厚度为0.1μm～5μm，使用切割轮在通过该部分的那样的切断预定线上形成槽，上述切割轮是沿着圆盘状旋转型轮的圆周部形成V字形的刀刃而形成的，上述槽使陶瓷基板表面至少产生龟裂，自槽的里侧施加负荷而切断基板，从而在切断(分割)表面形成有由金属膜(6)构成的配线图案的陶瓷基板(5)来制造金属化陶瓷基板芯片(1)时，能够有效地利用母材，而且能够抑制在被金属化部上产生缺陷，从而能以高合格率高效地制造基板芯片。
金属化陶瓷芯片制造方法

[发明专利]发光元件收纳用组件及发光元件收纳用组件的制造方法-CN200580026135.4无效
发明人：前田昌克;山本泰幸;金近幸博 -专利权人：德山株式会社
申请日： 2005-08-03 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供从发光元件发出的光通过反射框体可靠地、高效地反射，可以提高发光元件的亮度的发光元件收纳用组件及其制造方法。所述发光元件收纳用组件具有板状的陶瓷制绝缘基板、接合于绝缘基板的外周上表面而其内侧面侧具备光反射层的陶瓷制反射框体、形成于绝缘基板上表面的发光元件连接用配线布图层和以绝缘基板与反射框体形成的发光元件收纳用凹部，在发光元件收纳用凹部内，于发光元件连接用配线布图层上安装发光元件，反射框体主要以氮化物陶瓷构成，而且反射框体的光反射面以白色陶瓷构成。
发光元件收纳组件制造方法

[发明专利]发光元件安装用陶瓷基板及其制造方法-CN200580027888.7无效
发明人：前田昌克;山本泰幸 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2005-08-16 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： C04B41/80 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件安装用陶瓷基板及其制造方法，其可以可靠而高效率地反射发光元件所发出的光，提高发光元件的亮度，并具有高散热性。该发光元件安装用陶瓷基板由具有放置面和电极的陶瓷基板构成，该放置面用于放置具有电极的发光元件，该电极与该发光元件的电极电连接，其中，陶瓷基板包括由氮化物陶瓷构成的基板主体、和覆盖该基板主体的至少一部分表面、并由与形成基板主体的氮化物陶瓷异种的陶瓷构成的覆盖层，覆盖层的表面的对300～800nm的波长区域的光的反射率为50％以上。
发光元件安装陶瓷及其制造方法

[发明专利]氮化物烧结体及其制造方法-CN200580020540.5有效
发明人： 山本泰幸;金近幸博;前田昌克 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2005-06-20 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明提供热导率高、光反射率大的新型绝缘材料，进而提供用于装载LED元件的、可提高光的有效利用率并且可将由元件产生的热迅速发散的散热性高的支架。一种氮化物烧结体，其例如是在含有规定量炭蒸气的惰性气体气氛中，对相对于100质量份氮化铝粉末含有0.5～10质量份3CaO·Al₂O₃等含碱土类金属的化合物的组合物所形成的成形体进行烧结而得到，或者是在具有耐热性的基底基板上涂布氮化物糊剂后，在规定温度下进行烧结而得到，该氮化物烧结体的特征在于：对350nm～800nm波长区域的光的反射率为50％以上，对700nm波长的光的反射率为60％以上。将该氮化物烧结体用作支架的基板材料。
氮化物烧结及其制造方法

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