[发明专利]键合半导体结构及其形成方法

摘要

形成半导体结构的方法包括：将施主结构的一部分（116a）转移到处理的半导体结构（102），其中，处理的半导体结构包括至少一个非平面表面。非晶形膜（144）可以形成在键合半导体结构的至少一个非平面表面之上，并且该非晶形膜可被平面化，以形成一个或多个平面化表面。半导体结构包括具有至少一个非平面表面的键合半导体结构，并且非晶形膜布置在该至少一个非平面表面之上。键合半导体结构可以包括处理的半导体结构和单晶施主结构附着到该处理的半导体结构的非平面表面的一部分。

主权项

一种形成半导体结构的方法，包含：将施主结构的一部分转移到处理的半导体结构，并形成包含一个或多个非平面表面的键合半导体结构；在所述键合半导体结构的至少所述一个或多个非平面表面之上形成非晶形膜；以及使所述非晶形膜平面化，以形成一个或多个平面化表面，包含：去除所述非晶形膜在所述一个或多个非平面表面中的至少一个凹处外面的一部分；以及保留所述非晶形膜在所述一个或多个非平面表面中的至少一个凹处内的一部分。