[发明专利]键合半导体结构及其形成方法有效
申请号: | 201180017081.0 | 申请日: | 2011-02-22 |
公开(公告)号: | CN102822970A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | C·梅热;B-Y·阮;M·佐高 | 申请(专利权)人: | SOITEC公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L21/822 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;熊剑 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成半导体结构的方法,包含:
将施主结构的一部分转移到处理的半导体结构,并形成包含一个或多个非平面表面的键合半导体结构;
在所述键合半导体结构的至少所述一个或多个非平面表面之上形成非晶形膜;以及
使所述非晶形膜平面化,以形成一个或多个平面化表面,包含:
去除所述非晶形膜在所述一个或多个非平面表面中的至少一个凹处外面的一部分;以及
保留所述非晶形膜在所述一个或多个非平面表面中的至少一个凹处内的一部分。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,将施主结构的一部分转移到处理的半导体结构包含:
将离子注入到所述施主结构,以在所述施主结构内形成弱化带;以及
使所述施主结构在所述弱化带处破裂,并使所述施主结构的另一部分从所述施主结构键合到所述处理的半导体结构的非平面表面的一部分分开。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,将施主结构的一部分转移到处理的半导体结构包含:将所述施主结构的非连续部分转移到所述处理的半导体结构。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,还包含:
对所述非晶形膜在所述一个或多个非平面表面中的至少一个凹处内的一部分进行加热,至少加热到足以促进所述非晶形膜在所述一个或多个非平面表面中的至少一个凹处内的一部分重结晶的温度;以及
在所述施主结构被转移到所述处理的半导体结构的一部分上或在所述施主结构被转移到所述处理的半导体结构的一部分中,形成一个或多个器件结构。
5.根据权利要求4所述的方法,还包含:使在所述施主结构被转移到所述处理的半导体结构的一部分上或在所述施主结构被转移到所述处理的半导体结构的一部分中的所述一个或多个器件结构的至少一个器件结构,与所述处理的半导体结构的至少一个器件结构互相电连接。
6.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,还包含:
将另一个施主结构的一部分转移到所述键合半导体结构,以形成包括一个或多个非平面表面的另一个键合半导体结构;
在所述另一个键合半导体结构的至少所述一个或多个非平面表面之上,形成另一个非晶形膜;以及
使所述另一个非晶形膜平面化,以形成所述另一个键合半导体结构的一个或多个平面化表面,包含:
去除所述另一个非晶形膜在所述另一个键合半导体结构的一个或多个非平面表面中的至少一个凹处外面的一部分;以及
保留所述另一个非晶形膜在所述另一个键合半导体结构的一个或多个非平面表面中的至少一个凹处内的一部分。
7.根据权利要求1所述的方法,还包含:
形成所述处理的半导体结构,以包含非平面主表面和非平面侧表面;
将所述施主结构选择为至少大体由单晶半导体材料组成;
在将所述施主结构的一部分转移到所述处理的半导体结构并形成所述键合半导体结构之前,在所述处理的半导体结构上或在所述处理的半导体结构中形成多个器件结构;
其中,转移所述施主结构的一部分包含,将施主结构的一部分转移到所述处理的半导体结构的非平面主表面,以形成所述键合半导体结构,所述键合半导体结构具有非平面主表面和非平面侧表面;
其中,形成所述非晶形膜包含,在所述键合半导体结构的非平面侧表面和非平面主表面之上形成所述非晶形膜。
8.根据权利要求7所述的方法,还包含,将所述施主结构选择为至少大体由单晶硅组成。
9.根据权利要求7或权利要求8所述的方法,还包含,将所述非晶形膜选择为至少大体由非晶硅组成。
10.一种半导体结构,包含:
具有非平面主表面和非平面侧表面的键合半导体结构,所述键合半导体结构包含:
处理的半导体结构,所述处理的半导体结构包含非平面主表面和非平面侧表面;和
单晶施主结构附着到所述处理的半导体结构的非平面主表面的一部分;和
非晶形膜,所述非晶形膜布置在所述键合半导体结构的非平面侧表面和非平面主表面之上。
11.根据权利要求10所述的半导体结构,其中,所述处理的半导体结构的非平面主表面包含多个峰区和多个谷区,所述单晶施主结构的所述一部分附着到所述处理的半导体结构的非平面主表面的所述多个峰区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的