[实用新型]氮化物半导体元件及氮化物半导体封装有效
| 申请号： | 201120465900.5 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN202564376U | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 高堂真也;伊藤范和;山口敦司 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本新型提供一种氮化物半导体元件及氮化物半导体封装。在基板(41)上形成包含AlN层(47)、第一AlGaN层(48)(平均Al组成50％)及第二AlGaN层(49)(平均Al组成20％)的缓冲层(44)。在缓冲层(44)上形成包含GaN电子移动层(45)及AlGaN电子供给层(46)的元件动作层。借此，构成HEMT元件(3)。使用本新型的氮化物半导体元件则GaN电子移动层的厚度的设计自由度高，所以能够提供耐压优秀的封装。而且，可以减轻氮化物半导体元件的GaN电子移动层的龟裂及Si基板的翘曲，所以能够提供可靠性高的封装。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 封装 | ||
【主权项】：
氮化物半导体元件，其特征在于包括：Si基板；缓冲层，包含形成在所述Si基板的主表面上的AlN层、及形成在该AlN层上且积层多层AlGaN层而形成的AlGaN积层构造；GaN电子移动层，形成在所述AlGaN积层构造上；及AlGaN电子供给层，形成在所述GaN电子移动层上；在所述AlGaN积层构造中，基准AlGaN层的a轴平均晶格常数比接于该基准AlGaN层的所述AlN层侧的面而配置的AlGaN层的a轴面内晶格常数大，且比该基准AlGaN层原本具有的a轴平均晶格常数小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司，未经罗姆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120465900.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种大棚养殖南美白对虾抗应激饲料
- 下一篇：户外柱上真空断路器固封极柱
- 同类专利
- 专利分类
