[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201110462045.7 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102569351A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种不容易因微型化而产生电特性变动的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：包括第一区、与第一区的侧面接触的一对第二区、与一对第二区的侧面接触的一对第三区的氧化物半导体膜；设置在氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的与第一区接触的第一电极，其中，第一区为CAAC氧化物半导体区，一对第二区及一对第三区为包含掺杂物的非晶氧化物半导体区，一对第三区的掺杂浓度比一对第二区的掺杂浓度高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：氧化物半导体膜，包括：第一区；一对第二区，所述第一区位于所述一对第二区之间；以及一对第三区，所述第一区及所述一对第二区位于所述一对第三区之间；所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；以及所述栅极绝缘膜上的并与所述第一区重叠的第一电极，其中，所述第一区为c轴取向的晶体氧化物半导体区，所述一对第二区及所述一对第三区的每一个为包含掺杂物的非晶氧化物半导体区，并且，所述一对第三区的掺杂浓度高于所述一对第二区的掺杂浓度。
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