[发明专利]半导体封装及其制造方法有效
申请号: | 201110459218.X | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN102569208B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 崔银景;郑世泳;崔光喆;闵台洪;李忠善;金晶焕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/065;H01L23/31;H01L23/367 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体封装及其制造方法。在一个实施方式中,为了制造半导体封装,提供其中制造有半导体芯片的晶片。散热层形成在整个晶片上方。散热层接触半导体芯片的顶表面。之后,从晶片分割多个半导体芯片。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造半导体层叠封装的方法,该方法包括:在包括多个第一半导体芯片的晶片上方提供多个分离的第二半导体芯片;形成接触所述第二半导体芯片的顶表面的至少一部分的散热层;以及其后,从所述晶片分割所述多个第一半导体芯片以形成多个芯片叠层,其中所述多个分离的第二半导体芯片层叠在所述分割后的第一半导体芯片中的相应的第一半导体芯片上,其中所述散热层包括第一金属层以及形成在所述第一金属层上的第二金属层,其中所述第一金属层形成为跨越所述第二半导体芯片的宽度的实质上连续的层,并且其中所述第二金属层形成为在分别设置于所述第二半导体芯片上的分段之间具有间隙,使得在分割步骤之后所述第二金属层覆盖所述第一金属层,除了所述第一金属层的边缘之外。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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