[发明专利]半导体封装制程及其封装结构无效

专利信息
申请号: 201110450552.9 申请日: 2011-12-29
公开(公告)号: CN103187489A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 林厚德;张超雄 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种半导体封装制程及其封装结构,其包括以下的步骤;首先,提供一个基板,在所述基板上设置一个凹槽以及至少二个穿孔,接着,设置一个电路结构在所述凹槽内,所述电路结构包括一个第一电极以及一个第二电极,并通过所述穿孔在所述基板底面形成一个第一外部电极以及一个第二外部电极,然后,形成一个第一透明层在所述凹槽内,通过可移除的一个阻挡层在所述第一透明层形成一个凹部,并使所述凹部位于所述第一、二电极之间,然后,设置一个LED芯片在所述凹部,使所述LED芯片与所述电路结构达成电性连接,最后,形成一个封装层,所述封装层包括一个荧光层以及一个第二透明层,所述荧光层覆盖所述LED芯片,所述第二透明层覆盖所述荧光层。本发明并提供所述半导体封装结构。
搜索关键词: 半导体 封装 及其 结构
【主权项】:
一种半导体封装制程,其包括以下的步骤:提供一个基板,在所述基板上设置一个凹槽以及至少二个穿孔,设置一个电路结构在所述凹槽内,所述电路结构包括一个第一电极以及一个第二电极,并通过所述穿孔在所述基板底面形成一个第一外部电极以及一个第二外部电极,形成一个第一透明层在所述凹槽内,通过可移除的一个阻挡层在所述透明层形成一个凹部,并使所述凹部位于所述第一、二电极之间,设置一个LED芯片在所述凹部,使所述LED芯片与所述电路结构达成电性连接,及形成一个封装层,所述封装层包括一个荧光层以及一个第二透明层,所述荧光层覆盖所述LED芯片,所述第二透明层覆盖所述荧光层。
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